為助力中國第三代半導體行業發展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業的優勢資源，實現中國半導體行業迅速崛起。2017年11月1日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。會期兩天半，同期二十余場次會議。2日上午，舉行的“碳化硅材料與器件分會” 來自美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。

　　Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，其決定了能量調節系統的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統。針對不同的應用，如今的商業市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

 

　　碳化硅是一種引人注目的半導體材料，這是由于其高臨界場和寬禁帶的特點，被應用于高功率和高溫領域。在相同電壓比率下，SiC單極器件（二極管或MOSFET）比Si單極器的特征導通電阻低兩個數量級。同時，SiC的MOSFET具有高性能的體二極管和快速逆向回復時間，因此設備需要雙向傳導時不必在外部設立一個逆向二極管。

　　當前工藝情況下電壓范圍從650V到15kV 的SiC功率器件。對于SiC肖特基二極管，對于SiC肖特基二極管，新一代的動機和技術方法被描述為低電阻和小反向漏電流。SiC功率MOSFET與Si基器件相比，具有更優異的Rsp,onQG。

 

　　同時也將闡述新一代的650 V至1700 VSiC功率MOSFET。在SiC基 BJT上實現穩定電流增益的方法可以參考高壓BJT和達林頓晶體管。呈現了n型和p型SiC IGBT的結果，并比較其動態特性，給出器件物理的內在機制。 SiC GTOs的新終止設計在高產量下顯著提高了阻斷能力。最后，根據實際應用比較了各種SiC功率器件。ICSCRM 2017最新的SiC功率設計以及展望了未來每個器件的演變。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）