2017年11月1-3日，在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和北京順義區人民政府主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。

大會圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括第三代半導體與固態紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

期間，中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室協辦的“第三代半導體與微波射頻技術“分會如期順利召開。分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面，邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。

英國布里斯托大學教授Martin KUBALL、中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅、南京電子器件研究所高級工程師吳少兵、西安電子科技大學副教授鄭雪峰、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利、荷蘭Ampleon公司WLR可靠性專家陶國橋等國內外相關領域專家分享各自的研究成果。中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持本次分會。

英國布里斯托大學教授兼設備熱成像和可靠性中心主任Martin KUBALL做了極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術的報告，從國際視角分享了其最新研究成果。

　　中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅做了題為InAlN/GaN HFETs的可靠性評估和高頻特性研究的報告。結合相關的測試、案例，介紹了解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題的方法。

　　馮志紅中國電子科技集團公司第十三研究所研究員分享了InAlN/GaN HFETs的可靠性評估和高頻特性研究，介紹了不同結構的作用和影響等內容。

　　西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

毫米波固態功率放大器是現代化軍事裝備的重要組成部分，其在W波段需要的發射端輸出功率達數瓦或更高。南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了題為W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器工藝。結果顯示，AlGaN/GaN HEMT在W波段領域，首次實現了單片輸出功率和功率密度指標同時達到3W及3W/mm以上。

5G時代來了，移動通信領域一大波改變即將發生，材料技術的發展也備受關注。中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利分享了氮化鎵在5G方面的應用，介紹了當前5G系統的概況，氮化鎵器件在5G領域應用的電路形式等內容。

 可靠性至關重要，荷蘭Ampleon公司WLR可靠性專家陶國橋做了開發GaN技術晶圓級可靠性的精彩報告，分享了在可靠性方面的研究成果及部分實例。相對于產品的可靠性， 晶圓級可靠性更注重芯片工藝技術有關的部分。 針對不同的失效機理，設計不同的快速有效的診斷和測試結構，并為加速測試建立模型。WLR 為加速技術開發，和大批量生產中的工藝質量控制會起到非常積極的作用。