按照大會議程安排，閉幕儀式前是重要的特邀報告環節。該環節特邀中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓和中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍兩位院士坐鎮擔任閉幕大會特邀報告主持人。

中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓和中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍擔任嘉賓主持人

浙江大學的葉志鎮教授

　　來自浙江大學的葉志鎮教授首先分享了“ZnO薄膜研究新進展與LED光效提升研究”特邀報告。他表示，ZnO直接寬帶發紫藍光，P型摻雜與電發光是行業難題，ZnO透明導電，光電調控理論與工程應用是關鍵。ZnO多功能，材料可控制備與功能調控機制是基礎。對節能、信息與智能技術發展有重要意義。物豐價廉、環境友好、可持續發展，對固態照明、透明顯示和傳感領域應用都值得期待。他認為， GaN、SiC研究潮水已來，是乘風揚帆的好時機。ZnO多功能，ZnO材料代表未來，就如停在海灘上一艘船，迎接潮水。

華南理工大學彭俊彪教授

 　　華南理工大學彭俊彪教授則分享了“高遷移率氧化物半導體顯示材料的科學與技術”特邀報告。報告中對OLED顯示發展趨勢、新型氧化物TFT材料研制、溶液法制備TFT陣列、基于新型TFT陣列的AMOLEDs和AMOLED顯示屏進行了詳細介紹。他表示，在高分子界面材料、高效率印刷器件和全印刷OLED顯示屏領域做出了一些創新工作。發明了水/醇溶界面修飾聚合物，為共軛性的主鏈提供電子通道，極性的側鏈兼具實現聚合物的水或醇溶特性以及與金屬形成良好的界面偶極相互作用。解決了電子從高功函數陰極注入效率低的問題，大幅提高器件性能。同時，早高效率印刷制備顯示屏方面，采用PFN/導電銀膠復合陰極，在國際上首次實現全溶液印刷RGB三基色OLED器件。也在國際上首次實現全溶液噴墨打印陰極制作的三基色OLED顯示屏。

廈門大學康俊勇教授

 

　　廈門大學康俊勇教授在“多場調控AlGaN量子結構及其在紫外光源的應用”特邀報告中表示，當前對尋找新型固態紫外光源非常緊迫，ALGaN半導體為不可替代的新型固態紫外光源材料。無汞污染、電壓低、體積小、效率高、壽命長和利于集成的特點，有著更為廣闊的應用前景。

 

　　報告中提出了分層生長技術，實現了單分子層量子阱的外延；開發出調制表面工程技術，突破了寬帶隙半導體內嚴格的雜質溶解度制約。設計定位Mg和Siδ共摻合多維超晶格結構，實現高Al組分AlGaN的Mg高效摻雜。發現量子結構中反常躍遷特性，掌握電流誘導應力場調控量子能級躍遷規律。

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員

 

　　中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員介紹了“AlN 在藍寶石襯底上的HVPE生長研究與缺陷表征”特邀報告。他表示，從半導體照明向“照明、顯示與通訊”融合發展，大電流和小芯片密度是基本特點，是信息與功率的融合。光化學腐蝕對位錯的選擇刻蝕，得到無位錯GaN納米柱圖形襯底，實現極低位錯密度GaN單晶HVPE生長。與國際GaN襯底供應商對比，蘇州納維的位錯密度和曲率半徑均最好。

香港科技大學陳敬教授

 

　　香港科技大學陳敬教授帶來了“GaN-on-Si Power Devices and ICs”特邀報告。他表示，柵極技術是各項GaN-on-Si功率器件技術的分界嶺。此外，陳敬教授還從從柵極輸入端看GaN-on-Si橫向功率器件，從柵極驅動看GaN Power IC。

科技部科學技術部高技術研究發展中心項目主管楊斌

 

　　此外，科技部科學技術部高技術研究發展中心項目主管楊斌對國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項情況進行了簡要介紹。按照第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術方向，共部署35個研究任務。專項實施周期為5年（2016 - 2020年）。2016年重點專項在4個技術方向已啟動15個研究任務的27個項目。2017年擬在4個技術方向啟動15個研究任務的37-74個項目，擬安排國撥經費總概算為8.38億元。凡企業牽頭的項目須自籌配套經費，配套經費總額與國撥經費總額比例不低于1：1。其中包括面向新一代通用電源的GaN基電力電子關鍵技術，超高能效半導體光源核心材料、器件及全技術鏈綠色制造技術，新形態多功能智慧照明與可見光通信關鍵技術及系統集成，用于第三代半導體的襯底及同質外延、核心配套材料與關鍵裝備，新型顯示產業鏈建設與產業化示范，高光束質量、低閾值、長壽命、低成本紅綠藍LD材料及器件關鍵技術與工程化研究等要點作為重點闡述。

廣東省半導體產業技術研究院陳志濤副院長

　　閉幕式上，廣東省半導體產業技術研究院陳志濤副院長代表主辦方作了會議總結。他表示，本屆會議超預期，在參會人數和報告數量上均超預期。在為期兩天的緊張會議進程中，大會共計吸引了來自全國各地科研機構、高校院所、知名企業代表500余人。會議收到投稿233篇，特邀報告10篇，分會邀請報告50篇，口頭報告65篇，張貼報告113篇。與《半導體學報》合作，在資源的基礎上，收到希望在學報發表的論文14篇，根據學報審稿標準擇優推薦發表。本屆會議還嘗試創新設置了一場200余人的深度對話討論，眾多業界頂尖專家和代表參與對話，也是超預期成功。

　　在優秀論文頒獎環節，經過大會專家委員會的嚴格審定，評選出十名優秀學術論文。鄭有炓院士和郝躍院士為獲獎代表頒獲獎證書和獎品。

 

　　本屆會議還得到合肥彩虹藍光科技有限公司、江蘇華功半導體有限公司、上海正帆科技有限公司、北京媯水科技有限公司、濟南力冠電子科技有限公司、徳儀國際貿易（上海）有限公司、蘇州納維科技有限公司、Ceramicroforum 株式會社、西安格美金屬材料有限公司和鉑悅儀器（上海）有限公司的鼎力支持。上述單位，還在現場設置了展臺展示，同與會代表展開廣泛交流與合作。

西安交通大學王宏興教授

　　與此同時，經申請、組委會討論，西安交通大學獲得第三屆全國寬禁帶半導體學術會議承辦權。西安交通大學王宏興教授代表下一屆承辦單位介紹申辦單位學術背景、舉辦地點及城市特色。

閉幕式現場

中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍

　　最后，中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍作為顧問委員會專家為本屆大會做了簡要總結。他表示，本屆寬禁帶半導體學術會議參與人數之多，超過會前預期。會議設置緊湊，大會特邀報告和各分會專題報告都精彩紛呈，且含金量十足。寬禁帶半導體在學術上的前沿探討和學術引領，為研究人員帶來新技術、新領域、新思路和新方向，很大程度上為我國戰略性先進電子材料發展提供良好的支撐。希望，各參會代表能抓住良好機會，嚴謹治學，認真學習，專心做研究，把專業研究成果轉化為工業應用，為實現科技強國偉大目標貢獻力量。

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