8月10日-12日，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會和中國電子學會電子材料學分會主辦，廣東省科學院、廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟承辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司協(xié)辦的第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將在青海省會西寧召開。
近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導體材料半導體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領域繼續(xù)深入發(fā)展。
第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關設備研發(fā)等領域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學研的相互合作和交流。
強大的嘉賓團加上高質(zhì)量的內(nèi)容，將帶來一場寬禁帶半導體領域的一場別開生面的交流盛會，也為本屆會議凝聚了超高的人氣。值得一提的是，本屆嘉賓陣容星光熠熠，超高規(guī)格，其中原國家科學技術部副部長曹健林，中國科學院院士、北京大學教授甘子釗，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓將領銜擔任名譽主席。同時大會更是集結了來自中國科學院、中國工程院的多位院士，以及全國寬禁帶半導體照明領域的優(yōu)勢力量共同坐鎮(zhèn)，為大會提供強有力的支持。
大會也受到高度關注，不僅收到了大批高質(zhì)量的論文，而且各大科研機構、高校、名企也積極派代表報名參會。據(jù)組委會介紹，截止日前，已有投稿170余篇，大會邀請報告10篇，分會邀請報告近40篇。
氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術及應用正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地，被認為或?qū)⒁l(fā)科技變革并重塑國際半導體產(chǎn)業(yè)格局。從報告內(nèi)容來看，圍繞第三代半導體的前沿發(fā)展、技術應用、產(chǎn)業(yè)化等多個維度都將有重量級的報告呈現(xiàn)。既有寬禁帶半導體的發(fā)展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進展及發(fā)展方向，將以開闊的視野展現(xiàn)寬禁帶半導體領域的現(xiàn)在與未來，非常令人期待。
實際上，為推動我國寬禁帶半導體領域的發(fā)展，加強交流與協(xié)同創(chuàng)新，由中國電子學會電子材料學分會發(fā)起并主辦、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所承辦的第一屆全國寬禁帶半導體學術會議于2015年10月31日-11月2日在蘇州成功舉行，參會規(guī)模近500人。
2014年5月在揚州召開的13屆全國MOCVD會議期間，會議主辦方中國有色金屬學會時任主要領導深刻感受到寬禁帶半導體材料與器件蓬勃發(fā)展態(tài)勢，并意識到后續(xù)廣闊發(fā)展前景，決定推動依托中國有色金屬學會成立一個專業(yè)委員會，以搭建一個能持續(xù)穩(wěn)定推動我國寬禁帶半導體發(fā)展的平臺。經(jīng)過20個月的籌備,最后報中國科協(xié)備案，成立了全國性寬禁帶半導體學術組織--中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會,并于2015年12月11日在廣東省東莞市隆重舉行成立儀式暨首屆寬禁帶半導體學術研討會，來自國內(nèi)寬禁帶半導體學術界和產(chǎn)業(yè)界的專家學者進行了兩天的學術交流。
2016年在延吉召開的14屆全國MOCVD 會議期間，“寬禁帶半導體專業(yè)委員會”與“電子材料學分會”聯(lián)合開會討論決定：全國寬禁帶半導體學術會議自第二屆開始將由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會和中國電子學會電子材料學分會共同舉辦；第二屆全國寬禁帶半導體學術會議定于2017年8月10日-8月12日在青海西寧市舉行。
當前，國際半導體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的壟斷，被認為是“換道超車”的重要發(fā)展窗口期，我國也在積極推進寬禁帶半導體的發(fā)展。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。
一、大會主要日程
二、大會邀請報告：
鄭有炓 中國科學院院士，南京大學教授—— 寬禁帶半導體若干發(fā)展新動向
陶緒堂 山東大學教授——β- Ga2O3寬禁帶半導體單晶生長和器件應用
彭俊彪 華南理工大學教授——高遷移率氧化物半導體顯示材料的科學與技術
徐 科 中國科學院蘇州納米所研究員——氮化鎵單晶材料生長與應用研究進展
葉志鎮(zhèn) 浙江大學教授——ZnO薄膜研究新進展與LED光效提升研究
陳小龍 中國科學院物理所研究員——碳化硅晶體新效應、晶體生長和產(chǎn)業(yè)化
盛 況 浙江大學教授——碳化硅電力電子器件進展及展望
康俊勇 廈門大學教授——多場調(diào)控AlGaN量子結構及其在紫外光源的應用
陳 敬 香港科技大學教授——GaN功率集成電路技術
蔡樹軍 中國電子科技集團第十三研究所研究員——GaN微波器件最新進展
三、大會分會場主題：
1、材料生長（氮化物半導體、氧化物半導體、SiC、金剛石等）
2、材料物性和表征方法（光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等）
3、光電子器件及其應用（LED、LD、光電探測器等）
4、電子器件及其應用（射頻電子器件、功率電子器件等）
5、新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等）
四、會議注冊費：
2、材料物性和表征方法（光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等）
3、光電子器件及其應用（LED、LD、光電探測器等）
4、電子器件及其應用（射頻電子器件、功率電子器件等）
5、新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等）
四、會議注冊費：
1. 一般代表（A類票）：
2800元（含論文集、日程等會議資料及會議期間相關服務）
2. 學生代表（B類票）：
2. 學生代表（B類票）：
2300元（與一般代表相同會議待遇，但須提交相關證件）
五、注冊費繳費方式：
五、注冊費繳費方式：
1．通過銀行匯款：
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬號：336356029261
名稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
2．現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）
2．現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）
六、會議信息及聯(lián)系人
1. 會議官網(wǎng)：
2. 會議酒店：青海西寧萬達嘉華酒店
組委會提供會議協(xié)議酒店，以滿足參會代表的不同需求。會議召開期間，正值旅游旺季，房源緊張，請您合理安排好時間，自行與酒店提前聯(lián)系預定，并聲明是參加“第二屆全國寬禁帶半導體學術會議”的代表，住宿費用自理。
備注：各酒店享有會議特別折扣的客房數(shù)量有限，請盡早預訂。享有會議折扣房價的客房售完時，一些酒店可能還保留部分原價客房以供預訂。
3. 會議聯(lián)系人：
論文征集：趙維 龔政
T：020-61086425-8004 M：18840341159 E：291318252@qq.com
參會咨詢：
劉輝 T：010-82381880 E：liuh@china-led.net
張亞芹 T：010-82387600轉(zhuǎn)655，zhangyq@china-led.net
商務合作：
張威威T：010-82387380 M：13681329411 E：zhangww@china-led.net
賈欣龍T：010-82387430 M：18310277858 E：jiaxl@china-led.net
許薊鴻 T：010-82387600轉(zhuǎn)505 M：13466648667 E：xujh@china-led.net
大會熱烈歡迎半導體專業(yè)領域的專家、學者及相關行業(yè)的企事業(yè)單位參會交流。
