隨著科學技術和經濟社會飛速發展，對電力電子器件不斷提出新的更高需求，Si器件性能的提升已接近材料物理極限，面臨嚴峻挑戰。為高能效又兼具極端性能和耐惡劣環境的寬禁帶電力電子器件帶來發展機遇。

 

　　以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大，擊穿場強高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等材料特性以及高效、高頻、高溫、高可靠性、體積小、重量輕等應用優勢，在可再生能源利用、新能源汽車、智能電網、高速軌道交通、航空航天、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地，也是全球半導體研究的前沿和熱點。

 

　　當前，國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，被認為是“換道超車”的重要發展窗口期，我國也在積極推進寬禁帶半導體的發展。

 

　　為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，加強交流與協同創新，8月10日-12日，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會主辦，廣東省科學院、廣東省半導體產業技術研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司協辦的第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將在青海省會西寧召開。

 

　　此前，由中國電子學會電子材料學分會發起并主辦、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所承辦的第一屆全國寬禁帶半導體學術會議于2015年10月31日-11月2日在蘇州成功舉行，參會規模近500人。

 

　　2014年5月在揚州召開的13屆全國MOCVD會議期間，會議主辦方中國有色金屬學會時任主要領導深刻感受到寬禁帶半導體材料與器件蓬勃發展態勢，并意識到后續廣闊發展前景，決定推動依托中國有色金屬學會成立一個專業委員會，以搭建一個能持續穩定推動我國寬禁帶半導體發展的平臺。經過20個月的籌備,最后報中國科協備案，成立了全國性寬禁帶半導體學術組織--中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會,并于2015年12月11日在廣東省東莞市隆重舉行成立儀式暨首屆寬禁帶半導體學術研討會，來自國內寬禁帶半導體學術界和產業界的專家學者進行了兩天的學術交流。

 

　　2016年在延吉召開的14屆全國MOCVD 會議期間，“寬禁帶半導體專業委員會”與“電子材料學分會”聯合開會討論決定：全國寬禁帶半導體學術會議自第二屆開始將由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會共同舉辦；第二屆全國寬禁帶半導體學術會議定于2017年8月10日-8月12日在青海西寧市舉行。

 

　　第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業發展起到有力的推動作用。

 

　　火熱的話題、強大的嘉賓團加上高質量的內容，為本屆會議凝聚了超高的人氣。其中，原國家科學技術部副部長曹健林，中國科學院院士、北京大學教授甘子釗，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓將領銜擔任名譽主席。同時來自中國科學院、中國工程院的多位院士，以及全國寬禁帶半導體照明領域的優勢力量集聚共同坐鎮，為大會提供強有力的支持。

 

　　大會不僅收到了大批高質量的論文，而且各大科研機構、高校、名企也積極派代表報名參會。據組委會介紹，截止日前，已有投稿170余篇，大會邀請報告10篇，分會邀請報告近40篇。

 

　　一、大會主要日程

 

　　二、大會邀請報告：（審核中）

 

　　三、大會分會場主題：

 

　　1、材料生長（氮化物半導體、氧化物半導體、SiC、金剛石等）2、材料物性和表征方法（光、電、磁、熱性質、缺陷物理等）3、光電子器件及其應用（LED、LD、光電探測器等）4、電子器件及其應用（射頻電子器件、功率電子器件等）5、新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等）