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中村修二:LED與LDs的技術進展與趨勢

放大字體  縮小字體 發布日期:2017-06-05 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:377
  近日,由國際電光源委員會(FAST-LS)、國際半導體照明聯盟(ISA)、復旦大學電光源研究所、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、浙江省紹興市上虞區人民政府主辦的國際先進照明科技會議(ALST2017)在浙江上虞召開。
 
  會上,2014年諾貝爾獎獲得者、美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二出席會議并做精彩專題報告,分享了LED照明與激光照明的技術進展及趨勢。中村修二表示,太陽光無論是對人還是植物都是最好的,從光譜來看,目前的人工光,包括白光LED與日光是不同的,在光譜完整性,色彩質量方面還需要進一步提升。
 
  對于目前LED照明技術,中村修二詳細介紹了GaN Tunnel junciton技術,他表示,該技術有助于提高LED的發光效率。
  GaN tunnel junciton 優勢
tunnel junction blue led
tunnel-junction525nm

      激光照明是中村修二近年來的研究方向之一,有資料顯示,激光照明不僅能增加投射距離,提高安全性,同時體積更小、結構更緊湊。此次會上,中村修二介紹了高功率半極LDs技術,加州大學圣塔芭芭拉分校(UCSB)的研究成果以及采用LED和激光的LiFi。

關于激光照明
UCSB藍色激光結構
LED與激光lifi速率
激光對lifi應用
激光未來

  中村修二表示,除了照明領域之外,激光顯示在投影機、數字院線、汽車、電視、舞臺燈等多個領域將有廣闊的應用。
 
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