氮化鎵技術為核心的半導體照明產業有著數萬億的全球市場容量，其作為第三代半導體材料之一，具備優異的高電壓、大電流和高頻工作性能，可大幅降低電力系統的能量損耗和復雜度，提升系統的可靠性。而基于氮化鎵的功率器件及模塊可大規模應用于智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、工業電機、白色家電、數據中心等耗能的應用領域，將創造出可觀的節能空間。氮化鎵還對建設萬物互聯、移動互聯的信息化社會具有十分重要的作用。同時其可使電源轉換器體積縮小80%，其小型化、低成本的特點，將在智能硬件、可穿戴設備以及智能制造等方面發揮重要作用。
為了順應第三代半導體產業發展形勢，響應國家推進新材料產業發展，實施制造產業強國戰略的號召，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）將聯合北京大學于2017年7月20-30日組織中國代表團赴法國斯特拉斯堡參加第十二屆氮化物半導體國際會議（ICNS-12），并借此機會參觀考察全球領先的氮化鎵半導體技術研究與應用中心（如：IMEC、Fraunhofer IAF、比利時 EpiGaN 和AIXTRON等），以加強海內外第三代半導體的交流與合作，幫助國內學者和企業家了解歐洲的行業先進技術，具體內容如下：
參團費用 報名咨詢：
一、活動介紹
此次活動由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）共同主辦，主要目的是服務聯盟成員單位及國內相關企業及科研院所等機構，促進國內寬禁帶半導體產業的健康發展。
ICNS國際學術顧問委員會中國區主席、科技部“第三代半導體材料”重點專項總體專家組組長、北京大學理學部副主任沈波教授將親自帶隊此次活動。
根據活動內容，除參加ICNS討論會外，還將安排系列考察歐洲微電子研究中心（IMEC）、EpiGaN公司，AIXTRON總部研發中心、弗勞恩霍夫應用固體物理研究所 (Fraunhofer IAF)等相關機構。
活動時間為2017年7月20-30日。
二、主要考察內容
1. 第十二屆氮化物半導體國際會議（ICNS-12）
ICNS會議是全球氮化物半導體研究最重要以及最有影響力的國際會議，每兩年在世界各國輪流舉辦一次。會議涵蓋了氮化物系列半導體材料的晶體生長與外延、器件制造與性能、新結構與物理機理、仿真與分析、應用等領域。該會議每年都有領先全球的技術特邀報告，在此會議上也更創下了數位諾貝爾物理獎得主同時參加并做報告的記錄。
本屆大會由法國國家科學研究院承辦，諾貝爾獎得主赤崎勇擔任顧問委員會主席。會議將聚焦于基于III族氮化物半導體的材料和器件的高度影響的最新科技進展，作為LED發光芯片的核心材料，氮化鎵最新的技術研究進展以及其未來更具潛力的應用領域如：電力電子、通信及微波射頻技術等議題都將是本屆會議的重點方向。
今年的會議將吸引來自日本，美國，德國，比利時，韓國，中國等數十個世界半導體強國從事氮化鎵半導體研究的頂尖團隊和研究人員參加，參會人員預計會達1000人。
此次會議，聯盟將組織國內高校，研究院所，以及相關領域的科技創新企業組成中國代表團參與相關研討，共同討論氮化鎵技術的最新進展、全球氮化鎵半導體研究機構的研究成果，以及關鍵技術及創新解決方案的協作等。
2. 比利時歐洲微電子研究中心（IMEC）
IMEC成立于1984年，總部設在比利時魯汶，是一家世界級微電子技術研發機構，與美國的Intel、IBM并稱為全球微電子領域“3I”。研究方向主要集中在微電子，納米技術，輔助設計方法，以及信息通訊系統技術（ICT）等。
不同于大學里的研究機構，IMEC更偏重于與工業界的結合，通過聯合研究等方式，與大量企業、高校合作開展了眾多研究，進行技術轉讓，孵化公司等，探索出一條獨特的可持續發展道路，其自身也不斷發展壯大。除了微電子領域的技術積累，其發展過程中的成功經驗對我國微電子產業發展具有啟發意義。
3.德國弗勞恩霍夫協會應用固體物理研究所 (Fraunhofer IAF)
弗勞恩霍夫協會成立于1949年3月26日，是德國也是歐洲最大的應用科學研究機構，其年度研究總經費超過20億歐元，2016全球最具創新力政府研究機構排列第二位。
此次參觀的 Franlumhofer IAF研究所在III-V化合物半導體領域中處于同行業領先地位。憑借對應用于微電子、納米電子和光電子中的材料、元件和電路的研究，其開發民用和應用于國防安全領域的無線電、光纖通訊、傳感和光學的技術基礎和技術元件。IAF的研究重點是高頻技術和紅外線技術，包括從設計到小規模加工的全部過程，處理技術涵蓋從半導體板到系統成型的模件。
4.比利時EpiGaN公司
EpiGaN于2010年注冊成立，位于比利時哈瑟爾特，是歐洲微電子研究中心（IMEC）衍生出的公司。該公司致力于為功率開關，射頻和傳感器電子產品的性能器件III族氮化物外延材料解決方案，服務于消費類電子的電力供應、混合動力電動汽車、太陽能逆變器、基站的射頻電源、智能電網等市場領域。其GaN-on-Si是清潔能源發電和更有效的電源轉換的關鍵技術推動者。
5.德國AIXTRON總部研發中心
AIXTRON成立于1983年，總部位于德國黑爾措根拉特(Herzogenrath)，是全球領先的化合物半導體外延設備生產廠商之一。其共有4個尖端的研發實驗室，分別設于德國黑措根拉特、英國劍橋、美國桑尼維爾市和中國蘇州，與世界各地的卓越大學、研究中心和行業合作伙伴密切合作，其產品應用于微波電路，藍光LED，功率電子器件，微波射頻等領域。
三、行程安排及報名方式
1．報名費： 1500元/人（國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）和 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員單位1000 元/人）。注：含觀眾邀請函。
2．參團人員費：42000元/人（ 7月20 日- 7 月30日，共10 天）
注：人員費用含ICNS 會議注冊費6000RMB，往返經濟艙機票，境外雙人間住宿，境外交通費等；）
3．簽證費：1500元/人（含保險）
PS：報名單位由于自身原因退出，會退還參團人員費，已發生費用和報名費恕不退還。
賈先生 T：（86-10）82387430
E：jiaxl@china-led.net
張小姐 T：（86-10）82387380
E：zhangww@china-led.net
許先生 T：（86-10）82387600-505
E：xujh@china-led.net
