東芝推出降低了導通電阻的＋40V/＋45V耐壓的n通道型功率MOSFET。該產品屬于該公司低耐壓n通道型功率MOSFET產品群“U-MOS IX-H系列”，此次推出了＋40V耐壓的9款產品和＋45V耐壓的5款產品。通過利用該公司最新的工藝技術“U-MOS IX-H”制造，降低了導通電阻與柵極電荷量之積——性能指數（FOM：Figure of Merit）。據該公司介紹，“低導通電阻和高速開關實現了業內最高性能”。另外，采用了抑制開關工作時產生的電脈沖及振鈴（Ringing）的單元結構，因此可以降低開關噪聲，可以減小電磁輻射噪聲（EMI）。該產品適用于工業設備及消費類產品所配備的DC-DC轉換器、AC-DC轉換器（開關電源）及馬達驅動電路等。
降低了導通電阻的40V/45V耐壓的功率MOSFET
降低了導通電阻的40V/45V耐壓的功率MOSFET
?。?0V耐壓產品中導通電阻最低的是“TPWR8004PL”。封裝為DSOP Advance，連續時的最大漏電流為150A。柵極-源極間電壓為＋10V時，導通電阻為0.8mΩ（最大值），柵極-源極間電壓為＋4.5V時，導通電阻為1.35mΩ（最大值）。柵極電荷量（Qg）為103nC（標稱值）。柵極開關電荷量（Qsw）為23nC（標稱值）。輸出電荷量（QOSS）為85.4nC（標稱值）。輸入容量為7370pF（標稱值）。
＋45V耐壓產品中，導通電阻最低的是“TPW1R005PL”。封裝為DSOP Advance，連續時的最大漏電流為150A。柵極-源極間電壓為＋10V時，導通電阻為0.99mΩ（最大值），柵極-源極間電壓為＋4.5V時，導通電阻為1.65mΩ（最大值）。柵極電荷量（Qg）為122nC（標稱值）。柵極開關電荷量（Qsw）為34nC（標稱值）。輸出電荷量（QOSS）為98nC（標稱值）。輸入容量為7700pF（標稱值）。
14款產品均已開始量產供貨。價格未公布。
