據日經BP社報道，松下試制了耐壓為1.7kV、導通電阻僅1.0mΩcm2的GaN功率晶體管，并在“IEDM 2016”上進行了發表（演講序號：10.1）。這一導通電阻比相同耐壓的SiC MOSFET還要“低”。導通電阻越低，越能降低導通時的損失。閾值電壓為+2.5V，可常閉工作。該產品是在GaN基板上制作的立式元件。

左下為此次元件的結構，左上為以往元件的結構。右為閾值電壓的比較（圖：IEDM） 
 

　　此次主要采用了3項技術。第一，設置了利用GaN晶體“半極性面”的V字型柵極結構。通過該結構提高了閾值電壓，達到了+2.5V。

 

　　第二，設置了GaN/AlGaN的再生長層。由此，將再生長層的界面與溝道分開，與僅讓AlGaN層再生長時相比，將電子遷移率提高至約5倍。因此，導通電阻大幅減小。由于再生長層的界面容易出現晶體缺陷，僅讓AlGaN層再生長時，因再生長層的界面與溝道位于同一場所不容易提高遷移率。所以，此次將再生長層的界面與溝道分開。

 

　　第三，為了抑制穿通現象，設置了摻雜碳的GaN層。由此，將未設置該層時約為600V的耐壓提高到了1.7kV。

 

　　在演講的最后，松下展示了利用試制的GaN功率晶體管在400V電壓和15A電流下的開關動作。開關切換順利，未發生崩潰現象。