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戰略性先進電子材料重點專項—“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目啟動會在南京召開

放大字體  縮小字體 發布日期:2016-11-30 來源:科技部瀏覽次數:285
   近日,2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目啟動會在南京大學召開。項目牽頭單位南京大學相關領導、項目負責人、課題負責人及參與單位代表、項目咨詢專家、科技部高技術中心相關人員等出席了會議。
 
  “第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目旨在面向量子信息、醫學成像、深空探測和國防預警等應用要求,開展高增益、低噪音AlGaN基日盲雪崩光電探測器、SiC紫外單光子探測器、相關成像陣列及紫外成像系統研究。通過從材料生長到器件研制、再到系統集成和應用演示的全鏈條、一體化技術攻關研究,推動寬禁帶半導體紫外探測技術的實用化進程。
 
  會議由項目負責人南京大學陸海教授主持,科技部高技術研究發展中心相關人員介紹了“戰略性先進電子材料”重點專項2016年度部署和立項情況、專項管理規則流程以及在執行過程中常見的問題,對項目管理、質量管控、宣傳、經費使用以及咨詢專家職能等方面提出了新的要求和建議。
 
  項目負責人陸海教授及各課題負責人介紹了項目擬解決的關鍵科學技術問題、主要研究內容、團隊分工及最新工作進展。項目咨詢專家針對項目實施過程中的應用需求分析、實施方案、項目管理和人才培養等幾個方面提出了意見和建議。
 
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