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【SSLCHINA 2016】美國維易科Mark Mckee:通過高性能As/P MOCVD和離子束濺射技術加快光子發展

放大字體  縮小字體 發布日期:2016-11-29 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:267
   LED通用照明進入到規模性爆發的關鍵時期,進一步提高LED的發光效率和降低LED的制備成本仍然非常重要。目前,在外延方法、能量轉換效率、熱能管理、生產設備和工藝過程控制方面,LED仍有大幅提升空間。材料與裝備技術對于LED性價比的提升至關重要,也是LED照明市場獲得發展的關鍵推動力。
 
  在今年一年一度的半導體照明國際盛會--第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2016)期間。在 “材料與裝備技術分會”聚攏了該領域一大批國際專家和企業家,暢談產業核心材料及重大裝備新進展,聚焦國產化裝備及材料新進展。分會主持由中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜和佐治亞理工大學教授Russell Dupuis共同擔任。
美國維易科Mark Mckee:通過高性能As/P MOCVD和離子束濺射技術加快光子發展
  會上,來自美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監Mark Mckee介紹了通過高性能As/P MOCVD和離子束濺射技術加快光子發展情況。
 
  他表示,隨著人們對數據通信、傳感、紅外照明和光纖泵浦的需求增多,光子器件如VCSEL激光器,EE激光器越來越受歡迎。未來五年現有和新增應用將呈現兩位數增長。
 
  同時,MOCVD技術和設備滿足了光子制造商對生產設備的需求。這是器件制造邁出的關鍵一步,MOCVD技術嚴格的性能要求和技術創新滿足了客戶日益增長的需求。這些創新必然推動高收益和生產力,降低制造成本和增強設備制造商的盈利能力。
 
  此外,Mark Mckee還表示, AR和HR的低吸收涂層需要長久的使用壽命和卓越的性能。離子束濺射是一種已被證明的沉積技術,實現了所需的性能。本演講將重點放在新k475i?MOCVD平臺,其實現了光子器件大批量制造的成本要求,以及顯著證明了AR和HR涂層所用的SPECTOR?離子束濺射技術。
 
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