LED通用照明進入到規模性爆發的關鍵時期，進一步提高LED的發光效率和降低LED的制備成本仍然非常重要。目前，在外延方法、能量轉換效率、熱能管理、生產設備和工藝過程控制方面，LED仍有大幅提升空間。材料與裝備技術對于LED性價比的提升至關重要，也是LED照明市場獲得發展的關鍵推動力。
在今年一年一度的半導體照明國際盛會--第十三屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2016）期間。在 “材料與裝備技術分會”聚攏了該領域一大批國際專家和企業家，暢談產業核心材料及重大裝備新進展，聚焦國產化裝備及材料新進展。分會主持由中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜和佐治亞理工大學教授Russell Dupuis共同擔任。
會上，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員、主任徐科分享了“氮化鎵襯底生長的最新進展”。他表示，如轉換器和逆變器一般用于電力轉換的電力電子設備是有效利用電能的核心技術。 SiC電子器件被認為是成為用于各種應用中的下一代低損耗功率轉換設備的關鍵部件?，F有碳化硅晶體生長技術是依靠播種升華增長方法實行的。
徐科表示，現在市場上有幾乎微管密度為零的4和6英寸的的晶片。然而，在當前的技術中，晶體生長仍然容易出現高密度的擴展缺陷。因此減少這些缺陷是改善SiC器件性能的最優先問題。液生長法被認為是產生高質量SiC晶體的有力方法。
對于塊體晶體生長，通常執行頂部晶種溶液生長（TSSG）方法。在該方法中，晶體由碳坩堝中的硅基溶劑生長而成，過程中碳元素從坩堝進入溶劑。然而缺陷修復的效果細節依然不清楚。最近，我們的X射線形貌實驗揭示了穿透脫臼的愈合機制。
同時，在演講中，徐科還回顧了脫位復位的機理、位錯密度的控制以及“超高質量”的可能性。
