11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術設置的專題分會，由山東大學校長、教授張榮，北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。會議現場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！

　　會上，來自比利時EpiGaNnv首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)始人Marianne GERMAIN，介紹了“大直徑硅外延片上的氮化鎵高效率的功率切換”研究報告。

 

　　Marianne Germai1999年取得比利時烈日大學電機工程PhD。她建立了烈日大學與與亞琛工業(yè)大學的密切合作，并被美國普渡大學和德國維爾茨堡大學邀請為邀請科學家。2001年，她加入了IMEC（一家位于比利時的國際微電子研究中心），并領導了高功率/高頻應用的氮化鎵技術的發(fā)展。2004年開始，她任職項目經理管理“Efficient Power/GaN”項目，于2007年至2010年任職“III-V systems”組組長。2008年至2009年，她通過了比利時弗拉瑞克魯汶根特管理學院培訓管理課程。2010年5月，她和同事Joff Derluyn博士和Stefan Degroote 博士聯合創(chuàng)立了EpiGaN nv（清潔技術副產品，制造應用電子產品的氮化鎵外延）。現任職首席執(zhí)行官兼董事會成員。她已經發(fā)表和共同發(fā)表了超過100篇文章。她共同擁有幾個氮化鎵材料和器件方面的專利。

 

　　她表示，為延伸硅材料的電力電子特性，必須采用GaN-on-Si技術。該技術能夠減小能量損耗（能量供給，動力驅動），并且能夠允許高的操作溫度（服務器，電動車輛……），同時減小功率轉換器（電腦電源、汽車、空間……）的體積和重量。

 

　　GaN-on-Si技術能夠打破硅邊界的高效功率轉換的決定性優(yōu)勢在于它很好地將高性能和低成本結合在一起。這主要歸功于使用低成本硅襯底，可以獲得大硅片，完全兼容于現有的硅生產線和生產車間。以15年以上的MOCVD生長三族氮化物結構的經驗，EpiGaN已經建立了獨特的工藝用于生長GaN基電力電子和射頻電子應用的異質結構。

 

　　關鍵的差異性之一是原位生長的外延片的封蓋過程，作為優(yōu)化的表面鈍化層，能夠生產更牢固，并且更可靠的器件，同時可以減小晶體管的尺寸，因此增加了每個晶圓上的芯片數目（每個晶圓上多30%）。

 

　　特別考慮到非常薄的AlN二進制界限形成的2DEG。在硅襯底上生長的這些SiN/AlN/GaN結構表現出很高的載流子密度，同時保持極好的遷移率。與InAlN晶格匹配的異質結構相反，這些結構的漏電流很低。本文將給出最新的150 nm和200 nm晶圓的發(fā)展，在室溫和150℃條件下減小泄漏結構，具有極好的動態(tài)電阻特性，適合高電壓開關應用。