2016年11月15日至17日，中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際會議在北京國際會議中心舉行。其中，大會從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個專場重點討論。
11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置的專題分會，由山東大學(xué)校長、教授張榮，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯(lián)合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會。會議現(xiàn)場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！
會上，來自香港科技大學(xué)教授陳敬作題為“氮化鎵功率器件MIS門結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性”主題報告。
他表示，寬帶隙GaN功率轉(zhuǎn)換器件是非常理想的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，轉(zhuǎn)換效率高，結(jié)構(gòu)緊湊，因為它們能提供低損耗傳導(dǎo)，高頻轉(zhuǎn)換和高溫操作。由于制造成本低， GaN-on-Si側(cè)面異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管是目前產(chǎn)品研發(fā)的重點，與耗盡型場效應(yīng)管被用于混合共源共柵結(jié)構(gòu)（即低壓硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體、高壓GaN 場效應(yīng)管），增強型GaN 場效管為單芯片提供解決方案。
其中，GaN MIS-HEMTs（金屬-絕緣體-半導(dǎo)體HEMT）或 MIS-FET（金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 FET），具有抑制柵極泄漏，增強柵極擺動的優(yōu)點，優(yōu)于傳統(tǒng)的肖特基柵HEMT高壓電力開關(guān)。然而，柵極絕緣層另外創(chuàng)建了一個新的介電/ III-N接口，其在界面通常存在于高密度(1012-1014 cm-2eV-1) 淺層和深層陷阱（短期和長期的發(fā)射時間常數(shù)鬷t ），這就形成了巨大的挑戰(zhàn)。這些陷阱的動態(tài)充電/放電過程可能導(dǎo)致閾值電壓（Vth）不穩(wěn)定。
此外，盡管增強柵極擺動和降低柵泄露達(dá)到了非常理想的效果，但由于柵介質(zhì)可靠性的問題，凹柵極E模式GaN MIS-FET的商業(yè)化比P柵極GaN功率晶體管慢得多。廣泛采用柵極電介質(zhì)非常困難，如 ALD（原子層沉積）制備的氧化鋁，氮化硅，二氧化硅以通過可靠性測試，由于沉積溫度低（300℃），所以薄膜質(zhì)量相對較低。
報告中還對GaN MIS-HEMTs閘極介電層和具有增強的穩(wěn)定性和可靠性的MIS-FETs的幾項技術(shù)予以詳細(xì)介紹。這些技術(shù)包括：1）采用氮化界面層(NIL)技術(shù)在電介質(zhì)與GaN之間創(chuàng)建低陷阱密度界面；2）整合 NIL，門槽，氟植入正常的GaN晶體管； 3）LPCVD制備低漏電長壽命氮化硅和柵介質(zhì)（低壓化學(xué)氣相沉積）。
