11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術設置的專題分會，由山東大學校長、教授張榮，北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯合坐鎮，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。會議現場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！

　　會上，來自蘇州晶湛半導體有限公司總裁程凱介紹了電力電子應用的硅基氮化鎵平臺等報告。硅基氮化鎵是下一代電力電子的劃時代技術。廣泛使用的高質量硅基氮化鎵材料是實現GaN功率器件的大規模生產的關鍵。報告中展示了我們最近關于高電壓大尺寸硅基氮化鎵外延晶片的成果。通過使用 multiple-(Al)GaN 過渡層，可以證明厚（> 4um）氮化物緩沖層具有> 1000V的垂直擊穿電壓。

 

　　實際上對于氮化鎵做這個來講，它最重要的就是它比較看的這個禁帶寬度，所有的特點都是基于它的這個禁帶的寬度而言的。它的最大的優勢就能把氮化鎵的性能和同時跟硅的成本結合起來，另外有一個大的尺寸，6寸和8寸。英飛凌認為碳化硅和氮化鎵在未來扮演的不同的角色。從商業的價值角度來講，市場應用需求也是蠻大的。估算來說，對于900伏以下的應用，它的整個的市值也是超過三分之二的，全球范圍市場應該是超過200億美元。

 

　　介紹一下我們基本的一個材料結構，它的厚度最后能漲到6微米以上，我們有自己的一個控制的工藝，來實現這個厚的材料，最后還有一個比較高的集成電壓。可以把它這個表面控制得沒有缺陷，可以保證它的縱向的集成電壓可以控制比較低的漏電?？梢钥吹轿覀兌S的鋁氮的生產模式。另外，這個邊緣的裂紋也是很少，表面的形貌也是控制得比較好。如果我們做這個厚度的均勻性的測試，可以看到我們的外延結構，這里是一個結果，它的總的厚度是超過5微米的，絕緣性應該是在1%以內。這里面我需要重點提到的是，我們可以在這個標準厚度的6寸的硅襯底上，生產控制在20微米以內，即使它的厚度是比較薄的情況下。這個鋁分也是比較均勻的，可以看到我們邊緣的裂紋也是非常少。

 

　　目前，我們現在是在做一些產業化的工作，所以說缺陷這個是一個非常關鍵的問題。所以對我們外延材料，進行缺陷方面的一個判斷。首先是它的邊緣的裂紋，總的裂紋長度，整片的是不超過10個毫米。另外一個，在外延過程中可以看到，沒有一個大的缺陷。表面的凹坑的缺陷，整片也是比較少，不會超過40個，應該是接近0.1-0.2每平方厘米這個水平。這是一些細節，但是在局部有一些問題，但是在總的來說，片子沒有大的裂紋。這是一個小的亮點，這是一個二維電子其特性。這是它的垂直的擊穿的測試，如果用1毫安每平方厘米的標準，無論是正向還是反向的擊穿的測試，都可以超過1100伏，如果跟市面上能夠買到的產品相比，我們這個還是比較有競爭力的。

 

　　除此此外，他還介紹了其他幾種結構材料。并表示，氮化鎵已經基本進入了一個產業化的環節，但是從材料的生長，到器件的設計方面，需要兩方的配合來推動這個事情的進一步發展。