圍繞第三代半導(dǎo)體，今年跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)專門設(shè)置了多場(chǎng)分會(huì)，其中，11月16日下午舉行的“第三代半導(dǎo)體與新一代移動(dòng)通信技術(shù)”分會(huì)，圍繞著第三代半導(dǎo)體與新一代移動(dòng)通信技術(shù)展開(kāi)多維度的探討，涉及高性能GaN開(kāi)關(guān)電源，GaN、SiC材料外延及電子器件等眾多熱點(diǎn)。來(lái)自Plasma-Therm技術(shù)推廣總監(jiān)、主任研究員David Lishan出席分會(huì)并帶來(lái)“氮化鎵基器件采用等離子切割的生產(chǎn)效益”主題報(bào)告。

　　David Lishan畢業(yè)于加州大學(xué)圣克魯茲分校化學(xué)專業(yè)，取得加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校固態(tài)電子工程博士學(xué)位。他長(zhǎng)期工作于光刻、光化學(xué)和等離子體處理領(lǐng)域的材料、半導(dǎo)體、以及化學(xué)研發(fā)項(xiàng)目并發(fā)表出版過(guò)大量相關(guān)文章。他在Plasma-Therm已工作18年，現(xiàn)在是Plasma-Therm技術(shù)推廣總監(jiān)兼主任研究員。他的主要研究領(lǐng)域?yàn)獒槍?duì)研發(fā)、微機(jī)電系統(tǒng)、光子學(xué)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用程序的等離子體處理的應(yīng)用。他現(xiàn)在擁有兩個(gè)專利并已做過(guò)超過(guò)60篇出版文章和會(huì)議演講報(bào)告。

 

　　David Lishan表示，制造商正在尋找的方法，以降低成本，提高氮化鎵功率器件的采用率。模具切割工藝具有潛在的利益和改進(jìn)空間。傳統(tǒng)的切割方法使用鋸片，但面臨很大限制：模具損壞（剝落和開(kāi)裂），限定寬度鋸片的產(chǎn)量，鋸片負(fù)荷和磨損以及串行處理。激光切割解決了一些問(wèn)題，但熱影響區(qū)，切割殘留，生產(chǎn)量和材料的不相容性限制了它的使用。在某些情況下，鋸和激光的結(jié)合已被用來(lái)克服一些技術(shù)障礙。

 

　　他表示，我們提出了一種新方法，采用進(jìn)料側(cè)等離子切割，避免了這些問(wèn)題，解決薄晶片（＜150µm），適應(yīng)GaN基層。我們的方法是利用狹窄的路寬（≤15µm）和采用低應(yīng)力、圓角的芯片/無(wú)裂紋邊緣。由于所有的路寬都是同時(shí)蝕刻，并由模具本身定義，可以實(shí)現(xiàn)的靈活的模具布局和模具形狀。

 

　　同時(shí)，它使更多優(yōu)良的芯片模組，更高的生產(chǎn)量和更好的芯片可靠性。例如，減少切割的路寬，從典型的75µm到15µm，為每個(gè)晶圓模組增加近11%的1mm2模組，減少裂止動(dòng)環(huán)的附加成本。

 

　　David Lishan還表示，電力、內(nèi)存、物流、成像傳感器、LED、RFID、MEMS采用這種技術(shù)，需要解決一系列的變量，如材料的相容性、接合墊/凸起，過(guò)程控制/調(diào)整結(jié)構(gòu)和里襯金屬。并介紹了在特殊情況下的處理選項(xiàng)和方案，硅基氮化鎵改進(jìn)加工和包裝進(jìn)程。