2016年11月15日至17日， 2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際論壇（以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”）在北京國際會議中心盛大召開。此次跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會，由中國科技部與北京市人民政府主辦，將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點領(lǐng)域。第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2016）也受到北京市科委邀請，與大會同期同地舉行。

 

　　圍繞第三代半導(dǎo)體，今年跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會專門設(shè)置了多場分會，其中，11月16日舉行的“第三代半導(dǎo)體與新一代移動通信技術(shù)”分會，圍繞著第三代半導(dǎo)體與新一代移動通信技術(shù)展開多維度的探討，涉及高性能GaN開關(guān)電源，GaN、SiC材料外延及電子器件等眾多熱點。會上，來自臺灣中央大學(xué)電子工程系教授綦振瀛分享了“射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長”主題報告。

臺灣中央大學(xué)電子工程系講座教授 綦振瀛
 

　　報告首先介紹了該材料的背景，并把世界上現(xiàn)在最好的結(jié)果現(xiàn)狀給大家做一些介紹。接下來主要是研究的部分，研究部分基本介紹一個器件兩個主題，一個主題是結(jié)構(gòu)，外延的結(jié)構(gòu)和晶片的結(jié)構(gòu)。第二，制作這個器件的時候長材料控制，材料結(jié)構(gòu)跟我們預(yù)期物理的角度來看預(yù)期結(jié)果有出入的。到目前為止我們看到有一些出入，在工程技術(shù)上面還要繼續(xù)的改進。

 

　　報告中指出，晶格匹配AlInN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)是功率和射頻器件應(yīng)用的理想選擇，因其較強的自發(fā)極化（效應(yīng)），導(dǎo)致其比AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)擁有更高的載流子濃度和更低的溝道電阻。這一優(yōu)點對毫米波設(shè)備的操作更為重要，因為它對橫向和縱向的物理縮放設(shè)備尺寸非常必要。

 

　　在這個物質(zhì)系統(tǒng)中，雖然晶格應(yīng)變的問題較小，InN和AlN的不混溶性使高質(zhì)量的AlInN更難制備。深入分析表明，除聲子散射和位錯散射外，合金散射和界面粗糙度散射在AlInN/GaN高電子遷移率晶體管的輸運特性方面發(fā)揮重要作用（HEMT）。從實驗和理論角度，審查和討論生于金屬有機化學(xué)氣相沉積的高電子遷移率、低通道電阻AlInN/GaN HEMT的生長技術(shù)和層狀結(jié)構(gòu)設(shè)計。