半導體照明市場增速在放緩，為了節省更多的能量消耗和降低成本，需要進一步提高基于III族氮化物LED的光效和良率。在半導體材料生長和器件制程中，將一個或多個薄層插入到其它均勻的膜中可以極大地改變半導體薄膜的機械，熱，光學和電學性質。
華燦光電股份有限公司副總裁及研發中心負責人 王江波
2016年11月17日，第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2016) “芯片、封裝與模組技術Ⅱ”專題分會精彩繼續。華燦光電股份有限公司副總裁及研發中心負責人王江波做了題為“高光效III族氮化物基LED的插入層技術”的技術報告。
在分析當前半導體照明產業及技術形勢的基礎上，王江波分析了插入層技術對III族氮化物基LED性能的影響，并具體介紹了PVD AlN、AlGaN、ZnO等幾種較為常見的插入層技術，以及較為新穎的金屬插入層技術。
王江波表示，高效LED照明應用研究的挑戰集中在量子效率下降等方面。PVD AlN插入層技術有助于提升材料品質，AlGaN插入層技術有助于降低量子效率，ZnO插入層技術有利于實現更好的空穴注入，金屬插入層技術有助于提高光提取。
