以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導體材料，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
11月15日-17日，2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇（以下簡稱“跨國技術轉移大會”）在北京國際會議中心舉行，第十三屆中國國際半導體照明論壇并與之同期同地舉行。其中，在11月17日召開的“碳化硅電力電子器件技術分會”現場，聚集了來自全球各地頂尖專家，高質量報告密集發布，亮點十足。
會上，來自澳大利亞格里菲斯大學微電子工程學院的Sima DIMITRIJEV教授分享電力電子設備的后硅時代主題報告。他在報告中，講述了硅的局限性和碳化硅以及氮化鎵作為電力開關器件的優勢，并表明了電力開關器件的四個具體應用要求：（1）高阻塞電壓（2）低功耗（3）高轉換速度 和（4）正常的關閉操作。
并介紹了該優勢推動了碳化硅肖特基二極管和晶體管的商業化發展。報告還分析氮化鎵的潛能會加快技術進步，超越硅的理論極限，甚至顯著降低電力電子開關的價格。
在最后一節中，他還集中描述格里菲斯大學的標準電力電子設備的發展。
