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【SSLCHINA 2016】MOCVD技術(shù)的最新進展--針對高速增長產(chǎn)業(yè)的沉積技術(shù),2016愛思強研討會舉行

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2016-11-17 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):389
  MOCVD作為半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵設(shè)備,一直是業(yè)界關(guān)注的焦點,其技術(shù)發(fā)展與半導(dǎo)體照明的過去現(xiàn)在以及未來都密切相關(guān),同時作為半導(dǎo)體超晶格、量子阱、量子線、量子點結(jié)構(gòu)材料與器件研究的關(guān)鍵技術(shù),未來MOCVD技術(shù)的發(fā)展將會給化合物半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更為廣闊的前景。

 
  本屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2016)期間,與MOCVD設(shè)備代表廠商德國愛思強股份有限公司一起組織了一場針對MOCVD技術(shù)的研討會,邀請了來自設(shè)備及外延、材料等相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的骨干精英齊聚一堂,共同論道,帶來了MOCVD及相關(guān)技術(shù)的最新進展。
  研討環(huán)節(jié),淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司外延部部長蘆玲分享了AIX R6用于高良率氮化鎵LED的大規(guī)模生產(chǎn)。
  IMEC外延生長事業(yè)部資深研究員梁琥帶來了AIX GS+(用于200mm襯底上) p-GaN HEMT電力電子器件的生產(chǎn)的技術(shù)成果分享。
  激光器、紫外LED都是當(dāng)前研發(fā)熱點,中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所器件部副主任、晶能光電有限公司研發(fā)部副總裁孫錢帶來了GaN基激光器與近紫外LED的研究進展。
  河北半導(dǎo)體所(十三所)外研部副部長李佳,分享了碳化硅同質(zhì)外延技術(shù)進展。
  艾強(上海)貿(mào)易有限公司工藝部門經(jīng)理、方子文博士 介紹了寬緊帶半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件的相關(guān)研究進展。
  德國愛思強股份有限公司研發(fā)副總裁Michael Heuken教授,針對下一代電子和光電器件的二維納米材料做了精彩分享。
 
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