本屆大會(huì)，將從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過(guò)高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會(huì)、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置，包括碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)、第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件等多個(gè)專場(chǎng)重點(diǎn)討論。

　　其中，2016年11月16日召開(kāi)的“氮化鎵及其他新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)”分會(huì)采用召集人+主席+分會(huì)團(tuán)的模式，山東大學(xué)校長(zhǎng)、教授張榮與北京大學(xué)物理學(xué)院教授，北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任、中國(guó)物理學(xué)會(huì)發(fā)光分會(huì)理事張國(guó)義領(lǐng)銜擔(dān)任召集人，匯聚全球頂級(jí)專家精英，打造一場(chǎng)氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會(huì)。

       在16日上午的報(bào)告環(huán)節(jié)中，將邀請(qǐng)美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)教授，美國(guó)工程院院士Fred C.LEE和中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢(qián)作報(bào)告。

 

　　Fred C.LEE教授指出，在功率電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中，必須考慮品質(zhì)和可靠性，重點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度和低成本。這個(gè)領(lǐng)域未來(lái)的發(fā)展將會(huì)與功率器件、材料和制造技術(shù)的進(jìn)展緊密相關(guān)。隨著寬帶隙功率器件的最新進(jìn)展，交換器的產(chǎn)生將會(huì)在很大程度上影響以上三個(gè)方面。

 

　　對(duì)于任何設(shè)計(jì)，如果簡(jiǎn)單地用WBG替換硅器件，將會(huì)獲得效率的提高。盡管這是一個(gè)很大的貢獻(xiàn)，但是僅僅停留于此對(duì)WBG不公平。WBG器件能夠在更高頻率下工作。因此，可以采用WBG將器件尺寸降低5-10倍，并且在一些應(yīng)用中已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)與現(xiàn)有的硅器件相比，轉(zhuǎn)換頻率為10X，20X甚至50X的轉(zhuǎn)換器，是充滿挑戰(zhàn)性的。某些這種的設(shè)計(jì)不僅能夠提高性能，并且能夠在生產(chǎn)中減少勞動(dòng)量。

 

　　孫錢(qián)博士將在會(huì)議上報(bào)告生產(chǎn)p-GaN gate HEMTs的器件特性。目前公認(rèn)的CaN基功率器件最有前景的商業(yè)化方式是直接生長(zhǎng)在低成本大直徑的硅片上。孫博士指出采用多層AlN/AlGaN來(lái)克服在Si上生長(zhǎng)無(wú)縫的高品質(zhì)Ga(Al)N時(shí)產(chǎn)生的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的嚴(yán)重失配，對(duì)高阻抗的Ga(Al)N進(jìn)行碳摻雜與其電擊穿特性的相關(guān)性。

 

　　對(duì)于GaN基功率器件的實(shí)際應(yīng)用，增強(qiáng)模HEMT能夠有效地避免失效，并且簡(jiǎn)化電路。由于技術(shù)手段的不足，p-GaN門(mén)的生產(chǎn)通常不采用HEMT。為有效控制閾值電壓，并且降低2DEG特性的退化，對(duì)p-GaN進(jìn)行有效的Mg摻雜，并且減小擴(kuò)散。在非門(mén)區(qū)域?qū)-GaN層進(jìn)行刻蝕，有很好的一致性。

 

　　作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅因其出色的物理及電特性，正越來(lái)越受到產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。超強(qiáng)的陣容組合，加上高質(zhì)量的內(nèi)容，本次分會(huì)將全方位呈現(xiàn)當(dāng)前碳化硅電力電子器件的研究進(jìn)展，有哪些趨勢(shì)？……相信你想知道的，都會(huì)有答案。請(qǐng)繼續(xù)關(guān)注論壇“精彩早知道”系列！

——完——
 

 

　　參會(huì)報(bào)名、參會(huì)聯(lián)系人

 

　　張小姐 M：13681329411 T：010-82387380  E：zhangww@china-led.net

 

　　賈先生 M：18310277858 T：010-82387430  E：jiaxl@china-led.net

 

　　許先生 M：13466648667  T：010-82381680  E：xujh@china-led.net

 

　　第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2016）活動(dòng)官網(wǎng)：http://www.sslchina.org

 

　　2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議（IFWS）活動(dòng)官網(wǎng)：http://www.ifws.org.cn