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2016年全球半導(dǎo)體資本支出下降0.3%

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2016-10-14 來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):171
   【中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)譯】美國(guó)高德納咨詢公司(Gartner)稱,2016年全球半導(dǎo)體資本支出預(yù)計(jì)將減少0.3%至 646億美元,略高于此前0.7%的預(yù)估跌幅。
  
  Gartner表示2017年市場(chǎng)有望增長(zhǎng)7.4%。
  
  Gartner高級(jí)研究分析師David Christensen說(shuō):“我們發(fā)現(xiàn)2016年的最后一季半導(dǎo)體行業(yè)恢復(fù)增長(zhǎng)。2017年晶圓制造商將致力于引進(jìn)大容量10納米產(chǎn)品,內(nèi)存生產(chǎn)商將把重點(diǎn)放在3D NAND閃存。”
  
  前幾年,智能手機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、固態(tài)硬盤(pán)和物聯(lián)網(wǎng)仍將引領(lǐng)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展,特別是代工廠,為這些設(shè)備生產(chǎn)大部分晶圓芯片。
  
  雖然智能手機(jī)的出貨量放緩,但4G LTE在高端智能手機(jī)領(lǐng)域的快速發(fā)展帶動(dòng)了晶片先進(jìn)工藝技術(shù)的需求,而中國(guó)智能手機(jī)采用的指紋傳感器,觸摸屏驅(qū)動(dòng)和AMOLEDs充分利用了200mm晶圓代工廠的0.18微米晶圓技術(shù)。
  
  從設(shè)備的角度來(lái)看, 2016上半年DRAM的情況更為糟糕,年中市場(chǎng)觸底。現(xiàn)在供應(yīng)緊張和需求增多導(dǎo)致今年下半年市場(chǎng)供貨不足。2017年初,疲軟的需求環(huán)境將造成技術(shù)過(guò)剩,但此后2017年和2018年行業(yè)將出現(xiàn)供不應(yīng)求的現(xiàn)象。
  
  近三年的供過(guò)于求之后,2016年第三季度NAND缺貨明顯,3D NAND生產(chǎn)所面臨的挑戰(zhàn)依然存在。2017年有望看到供需平衡。今年下半年,大量的新增產(chǎn)能以及3D NAND技術(shù)的成熟,將促進(jìn)供需平衡。
  
  2016年,晶圓制造商的10nm產(chǎn)品和內(nèi)存制造商的3D NAND促進(jìn)晶圓級(jí)制造設(shè)備支出增長(zhǎng)6.4%。
 
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