為了深入交流MOCVD技術領域研發的新理論、新進展及其在材料應用領域的新動態、新成果；探討現有問題和未來發展方向；促進產學研結合進程，加快我國MOCVD技術創新及推廣應用，2016年8月17-18日，第十四屆全國MOCVD學術會議在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉”美稱的延吉市盛大召開。來自國內外的知名專家、學者、工程師和企業家近500余位代表，在MOCVD生長技術、MOCVD設備研發、材料結構與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。

開幕式現場

 

　　本屆會議由中國有色金屬學會主辦，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、發光學及應用國家重點實驗室、應用光學國家重點實驗室和半導體照明聯合創新國家重點實驗室等單位承辦，吉林省科技廳、延邊州科技局、延吉市科技局和長春理工大學也給予大力協助和支持。

 

　　大會圍繞“新形勢下的MOCVD+”主題，深入探討在新型學科，新材料不斷涌現；新技術、新產品不斷出現的背景下，MOCVD將如何繼續發揮其應有的作用和巨大的發展潛力。當前，MOCVD技術已在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半導體材料及其量子結構的制備上得到廣泛應用，極大地推動了光電子器件和電子器件的發展和產業化，成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料與器件研究的關鍵技術，未來將為化合物半導體科學技術和產業發展帶來更為廣闊的前景。

大會開幕式現場

大會主席、中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室申德振研究員擔任開幕式主持人

 

　　出席大會領導及專家有科技部原副部長曹健林，中國科學院鄭有炓院士、王立軍院士、郝躍院士、劉明院士，延邊州州長李景浩，工信部電子信息司原司長、國家集成電路產業投資基金有限公司總經理丁文武，國家基金委信息學部常務副主任秦玉文，中國有色金屬學會常務副秘書長楊煥文，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所所長賈平，國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長吳玲，基金委信息學部調研員、綜合處處長何杰，科技部高新司材料處處長陳其針，基金委信息學部信息四處處長潘慶，中國科學院前沿科學與教育局綜合處處長楊永峰，中科院半導體所副所長陳弘達，吉林省科技廳高新處處長辛德久，延邊州人民政府秘書長馮德遠、延邊州科技局副局長方金鐵及延吉市科技局副局長韓今玉。

 

　　以及大會特邀報告嘉賓山東大學校長張榮、中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所所長楊輝、南昌大學副校長江風益、中國科學院半導體所原所長/半導體照明聯合國家重點實驗室主任李晉閩研究員、北京大學物理學院教授沈波、耶魯大學教授韓仲（HanJung）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山、中科院長春光機所所長助理孫守紅、中科院長春光機所基礎科研處處長項陽、中科院長春光機所成果轉化處處長褚明輝、中科院長春光機所基礎科研處副處長趙東旭、中科院長春光機所應用光學國家重點實驗室副主任穆全全、國家集成電路產業投資基金有限公司總經理丁文武、中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室副主任黎大兵、中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室副主任佟存柱等。

大會組委會主任、中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室副主任黎大兵介紹會議組織情況

 

　　中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室副主任黎大兵代表大會組委會介紹了本屆大會組織籌備情況，本屆大會共收到來自五十余個單位186篇學術報告，其中大會特邀報告11篇，分會報告32篇；大會實際報到參會人數500余人，分為開、閉幕式和四場主題分會將圍繞“新形勢下的MOCVD+”主題，深入探討在新型學科，新材料不斷涌現；新技術、新產品不斷出現的背景下，MOCVD將如何繼續發揮其應有的作用和巨大的發展潛力。

中國科學院院士鄭有炓院士致辭

 

　　中國科學院院士鄭有炓院士在致辭中表示，MOCVD技術作為半導體材料領域在歷史上已經做出很大貢獻，但是回顧近二十幾年來MOCVD技術最大的貢獻就是引領并支撐了化合物半導體的發展，也支撐了第三代半導體的發展。同時MOCVD技術在材料發展史上也是最真實最杰出的成就。今天看MOCVD技術的發展，已經成為制造、控制、第三代半導體材料器件及結構精準控制生長技術。再者，在支撐材料發展過程中，MOCVD技術本身也在不斷發展。今天的MOCVD技術不是十年以前，更不是二十年以前的技術，是目前最先進的化合物材料生產技術之一，可以認為是精準、生長、調控專業的材料生長技術。所以，生產者只要有新的思想、新的構思、新的思維，就能利用MOCVD技術做出新材料、新器件，發展新產業。同時，國家第三代半導體材料的發展也是得益于MOCVD技術的支撐，MOCVD技術的發展也是隨著產業的不斷發展帶動起來的，技術和產業的發展是相互支撐，共同促進。

 

　　MOCVD技術和第三代半導體材料的發展形勢喜人，前途繼續光明。我國擁有MOCVD設備占全世界總數70%以上，LED產能也占全世界產能的超過四分之一，中國LED產業和企業是全球半導體產業重要力量。目前，中國LED已經走上了創新發展的大道，從MO源的國產化，MOCVD設備也已經開始走上國產化的道路，MOCVD技術開始走上技術創新的道路。我國的MOCVD技術相關的LED及第三代半導體產業也正從大國邁向強國。而且，這個形式還會越來越好。今天的會議也為邁向強國，產生巨大的促進作用。

 

　　此外，整個第三代半導體材料的發展，尤其是第三代半導體產業別的發展已經步入新的發展時期。充分發揮戰略引領作用，產業并不是一個一個轉移，而是一個比一個擴大。LED照明領域還是剛剛開始，比如工業電子、射頻電子等眾多領域將開始，但需要我們加以自主創新非常重要。尤其需要政產學研用結合，實行跨越式發展。

 

　　目前MOCVD設備如何在同樣的設備同樣的時間條件下實現產能效率提高，MOCVD面臨新的挑戰。在不增加成本投資、不增加時間條件下擴大面積，怎樣從6英寸到8英寸再到12英寸怎樣實現突破。在產業創新發展階段，MOCVD技術應發揮著關鍵作用。未來如何實現跨越發展、跨界發展和創新應用將是新的方向。

延邊州州長李景浩致辭

 

　　延邊州州長李景浩在致辭中表示，延邊是中國唯一的朝鮮族自治州，區位優越，交通便利，地處中俄朝三國交界，高速鐵路、高速公路直接同內地，海上航線聯通韓國多城市及我國東南沿海城市，已經成為東北亞重要的交通樞紐。同時也是“一帶一路”向北開放重點城市，享有一系列國字號優惠政策。當前，吉林省上下正在實施創新驅動發展戰略，促進產業轉型升級，推動老工業基地全面振興。延邊州也正在全面積極推進科技創新和產業變革深度融合，著力改造傳統產業，做強做大。培育新興產業，全力加快綠色轉型發展。我們真誠希望通過此次學術會議的召開，能為我州科技創新、產業發展等領域引入新理念，注入新活力，帶來新變化。同時也希望各位專家學者為我州發展把脈支招，助力延邊振興發展。

國家基金委信息學部常務副主任 秦玉文

 

　　國家基金委信息學部常務副主任秦玉文在致辭中表示，基金委一直關注著半導體相關的領域的科技發展，同時支持和發掘半導體領域探索性基礎研究，也希望在基金委的推動下能促進產業的發展。

中國有色金屬學會常務副秘書長楊煥文致辭

 

　　中國有色金屬學會常務副秘書長楊煥文表示，作為MOCVD生長技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學術會議”已經成功舉辦了十三屆，規模和影響越來越大，已成為全國學術界和產業界廣泛關注的學術盛會。本次會議選擇在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉”美稱的延吉市舉行，來自大陸和臺港地區的與會學者、工程師和企業家將在MOCVD生長技術、MOCVD設備研發、材料結構與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學術研究、技術進步和第三代半導體產業發展起到有力的推動作用。

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所所長 賈平致辭

 

　　中國科學院長春光學精密機械與物理研究所所長賈平在致辭中表示，作為MOCVD生長技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學術會議”已經成功舉辦了十三屆，已成為全國學術界和產業界廣泛關注的學術盛會。本屆盛會十分榮幸邀請到了國內外知名專家學者開展廣泛交流和深入合作，必將對我國MOCVD學術研究、技術進步和第三代半導體產業發展起到有力的推動作用。中國科學院長春光學精密機械與物理研究所作為搖籃，肩負著國家科技創新使命，面向世界科技前沿，面向世界經濟主戰場，面向國家重大需求，高度重視并大力支持MOCVD技術的發展，構建了先進的MOCVD技術平臺，希望今后在國家政策的扶持下，本所與研究所，大學及產業界同仁，進一步加強交流與合作，在MOCVD技術領域半導體照明及第三代半導體材料領域實現跨越式發展。

科技部原副部長曹健林 致辭

 

　　科技部原副部長曹健林致辭并在主題為“我國第三代半導體發展戰略思考”的報告中指出，MOCVD絕大多數是為LED或者說是第三代半導體生長服務。第三代半導體首先具有非常強的技術性，是以硅基為主的半導體產業的延伸和發展。對于，第三代半導體它有其特殊性，如何定義第三代半導體？曹建林認為，一個從寬禁帶化合物，還有是從性能上的延伸，例如高功率高頻等等；這兩者的結合起來，用第三代半導體統稱感覺比較貼切。

 

　　他表示，作為發展中國家，我們中國從50年代后期典型的像半導體所等等，開展大量的半導體科學技術的研發，迄今為止在硅基半導體產業的人才、技術、企業規模等方面還與西方發達國家存在巨大差距。其實，經過多年的努力差距正在縮小。在正視差距，在努力縮小差距的同時，我們還要探索一下跨越式發展道路。因為我們正處在一個特殊的歷史時期，曾經科技部做過很多重要調研，調研發現目前處在跟跑、并跑、領跑并存，大概有一半以上是跟跑，然后一半是并跑和領跑，其中有10%-15%以上中國是在領跑。同時，無論是并跑還是領跑，第三代半導體給我們提供了一個新的歷史發展機遇和可能性。

 

　　目前，中國已開始了全球最大、最復雜、發展最快的能源互聯網建設，其中包括特高壓遠距離輸電、大規模新能源并網、電網控制等技術；中國已建和在建的全球最高運營速度、最長運營里程、最佳效益的高速軌道交通以及未來的“一帶一路”建設；全球增長最快和最大的新能源汽車市場；全球最大規模的4G和5G移動通信；全球產能最大、市場最大的半導體照明及超越照明；- 中國需要第三代半導體。中國的需求吸引了全球廠商的目光，促成了他們產品向中國的輸出；中國的科技和產業工作者有責任、有能力先于任何人滿足這種需求。

 

　　目前國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，我國正處在啟動這一產業的窗口期。中國精密加工制造技術和配套能力的迅速進步，特別是有01、02專項的基礎，具備促使這一產業高速發展的能力和條件；各地多年積累的產業優勢和轉型升級的需要，為構建新興產業創新鏈提供了條件；中國市場的多元性和需求梯度為未來市場提供了機會；具有中國特色的“政產學研用”協同創新模式，為新興產業的發展提供了可借鑒的經驗和成功的可能性。

 

　　曹健林認為，我國啟動第三代半導體產業的時機已經成熟，第三代半導體技術突破將帶來新一輪產業革命。在光電子、電力電子和微波射頻等領域，搶占技術和產業制高點，重構全球半導體產業格局。

國家集成電路產業投資基金有限公司總經理丁文武

中國科學院 郝躍院士

山東大學校長 張榮

耶魯大學教授韓仲（HanJung）

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山

　　緊接著，國家集成電路產業投資基金有限公司總經理丁文武分享了“關于MOCVD發展相關情況” 的主題報告；中國科學院郝躍院士分享了“GaN基半導體電子器件的研究進展與趨勢”報告；山東大學校長張榮分享了“AlGaN日盲紫外探測技術研究”報告；耶魯大學教授韓仲（HanJung）帶來了“非極性和半極性GaN LED照明規模效益化的可能” 主題報告；第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山分享了“以需求帶動第三代半導體產業健康發展”主題報告。

　　此外，大會除了開閉幕式以外，還在會期內四個分會場，分別以氮化物LED與LD，紫外材料與器件，外延生長與物性，其他光電子材料與器件，電子材料與器件，MOCVD設備、襯底與物性等主題展開學術報告分享和深度對話。