2016年以來，micro LED逐漸進入LED行業(yè)圈子，近日聽到了micro LED將于2018年量產(chǎn)的消息。為了更全面的了解micro LED市場與技術的發(fā)展，對micro LED的歷史、現(xiàn)況、原理、制程及參與企業(yè)等方面做了全面梳理。
歷史
說起Micro LED，先得從顯示TFT-LCD背光模組應用說起。在1990年代TFT-LCD開始蓬勃發(fā)展時，因LED具有高色彩飽和度、省電、輕薄等特點，部分廠商就利用LED做背光源。然因成本過高、散熱不佳、光電效率低等因素，并未大量應用于TFT-LCD產(chǎn)品中。
直到2000年，藍光LED芯片刺激熒光粉制成白光LED技術的制程、效能、成本開始逐漸成熟；當進入2008年，白光LED背光模組呈現(xiàn)爆發(fā)性的成長，幾年間幾乎全面取代了CCFL，其應用領域由手機、平板電腦、筆電、臺式顯示器乃至電視等等。
然而，因TFT-LCD非自發(fā)光的顯示原理所致，其open cell穿透率約在7%以下，造成TFT-LCD的光電效率低落；且白光LED所能提供的色飽和度仍不如三原色LED，大部分TFT-LCD產(chǎn)品約僅72%NTSC；再則，于室外環(huán)境下，TFT-LCD亮度無法提升至1000nits以上，致使影像和色彩辨識度低，為其一大應用缺陷。故另一種直接利用三原色LED做為自發(fā)光顯示點畫素的LED Display或Micro LED Display的技術也正在發(fā)展中。
現(xiàn)況
隨著LED的成熟與演進，Micro LED Display自2010年代起開始有著不一樣的面貌呈現(xiàn)。
從其發(fā)展歷程來看，2012年Sony發(fā)表的55寸“Crystal LED Display”就是Micro LED Display技術類型，其Full HD解析度共使用約622萬(19201080x3)顆micro LED做為高解析的顯示畫素，對比度可達百萬比一，色飽和度可達140%NTSC，無反應時間和使用壽命問題。但是因采單顆Micro LED嵌入方式，在商業(yè)化上，仍有不少的成本與技術瓶頸存在，以致于迄今未能量產(chǎn)。
雖然Micro LED理論上是皆可應用各類尺寸產(chǎn)品，但從自身良率及制程來看，目前對解析度高低的需求與良率是成反比，所以對解析度要求不高的穿戴式產(chǎn)品的顯示器因尺寸面積小、制作良率較高、符合節(jié)電需求，而被優(yōu)先導入micro LED。
一般LED芯片包含基板和磊晶層其厚度約在100~500μm，且尺寸介于100~1000μm。而更進一步正在進行的Micro LED Display研究在于將LED表面厚約4~5μm磊晶層用物理或化學機制剝離，再移植至電路基板上。其Micro LED Display綜合TFT-LCD和LED兩大技術特點，在材料、制程、設備的發(fā)展較為成熟，產(chǎn)品規(guī)格遠高于目前的TFT-LCD或OLED，應用領域更為廣泛包含軟性、透明顯示器，為一可行性高的次世代平面顯示器技術。
自2010年后各廠商積極于Micro LED Display的技術整合與開發(fā)，然因Micro LED Display尚未有標準的μLED結構、量產(chǎn)制程與驅動電路設計，各廠商其專利布局更是兵家必爭之地。迄2016年止，已被Apple并購的Luxvue、Mikro Mesa、SONY、leti等公司皆已具數(shù)量規(guī)模的專利申請案，更有為數(shù)眾多的公司與研究機構投入相關的技術開發(fā)。
主要參與開發(fā)的企業(yè)
原理
Micro LED Display的顯示原理，是將LED結構設計進行薄膜化、微小化、陣列化，其尺寸僅在1~10μm等級左右；后將MicroLED批量式轉移至電路基板上，其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上；再利用物理沉積制程完成保護層與上電極，即可進行上基板的封裝，完成一結構簡單的Micro LED顯示。
而要制成顯示器，其晶片表面必須制作成如同LED顯示器般之陣列結構，且每一個點畫素必須可定址控制、單獨驅動點亮。若透過互補式金屬氧化物半導體電路驅動則為主動定址驅動架構，Micro LED陣列晶片與CMOS間可透過封裝技術。黏貼完成后Micro LED能藉由整合微透鏡陣列，提高亮度及對比度。Micro LED陣列經(jīng)由垂直交錯的正、負柵狀電極連結每一顆Micro LED的正、負極，透過電極線的依序通電，透過掃描方式點亮Micro LED以顯示影像。
Micro LED結構圖
Micro LED典型結構是一PN接面二極管，由直接能隙半導體材料構成。當對MicroLED上下電極施加一正向偏壓，致使電流通過時，電子、空穴對于主動區(qū)復合，發(fā)射出單一色光。Micro LED光譜主波長的FWHM約20nm，可提供極高的色飽和度，通常可>；120%NTSC。
而且自2008年以后，LED光電轉換效率得到了大幅提高，100 lm/W以上已成量產(chǎn)標準。因此對于Micro LED顯示的應用，因其自發(fā)光的顯示特性，搭配幾乎無光耗元件的簡易結構，就可輕易實現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器設計。
這樣可以可解決目前顯示器應用的兩大問題，一是穿戴型裝置、手機、平板等設備的80%以上的能耗在于顯示器上，低能耗的顯示器技術可提供更長的電池續(xù)航力；一是環(huán)境光較強致使顯示器上的影像泛白、辨識度變差的問題，高亮度的顯示技術可使其應用的范疇更加寬廣。
制程種類及技術發(fā)展
對于半導體與芯片的制程微縮目前已到極限，而在制造上的微縮卻還存在相當大的成長空間，對于Micro LED制程上，目前主要呈現(xiàn)分為三大種類：Chip bonding、Wafer bonding和Thin film transfer。
三大制程的各自優(yōu)劣勢及廠商
Chip bonding（芯片級焊接）：是將LED直接進行切割成微米等級的Micro LED chip(含磊晶薄膜和基板)，利用SMT技術或COB技術，將微米等級的Micro LED chip一顆一顆鍵接于顯示基板上。
Wafer bonding（外延級焊接）：是在LED的磊晶薄膜層上用感應耦合等離子離子蝕刻(ICP)，直接形成微米等級的Micro LED磊晶薄膜結構，此結構之固定間距即為顯示畫素所需的間距，再將LED晶圓(含磊晶層和基板)直接鍵接于驅動電路基板上，最后使用物理或化學機制剝離基板，僅剩4~5μm的Micro LED磊晶薄膜結構于驅動電路基板上形成顯示畫素。
Thin film transfer（薄膜轉移）：是使用物理或化學機制剝離LED基板，以一暫時基板承載LED磊晶薄膜層，再利用感應耦合等離子離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED磊晶薄膜結構；或者，先利用感應耦合等離子離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED磊晶薄膜結構，再使用物理或化學機制剝離LED基板，以一暫時基板承載LED磊晶薄膜結構。最后，根據(jù)驅動電路基板上所需的顯示畫素點間距，利用具有選擇性的轉移治具，將Micro LED磊晶薄膜結構進行批量轉移，鍵接于驅動電路基板上形成顯示畫素。
總結
盡管Micro LED顯示已經(jīng)備受企業(yè)關注和加大研發(fā)，在規(guī)格上也較LCD具有多重好處，甚至畫質上可與OLED相媲美，但是現(xiàn)階段該顯示器發(fā)展并未普及，主要困難點有三，
第一在于LED固晶上；以目前已成熟的LED燈條制程為例，在制作一LED燈條尚有壞點等失敗問題發(fā)生，何況是一片顯示器上要嵌入數(shù)百萬顆微型LED。而LCD與OLED已采批次作業(yè)，良率表現(xiàn)相對較佳。
第二、LED組件上；覆晶LED適合于Micro LED顯示，因其體積小、易制作成微型化，不需金屬導線、可縮減LED彼此間的間隙等，雖然Flip Chip目前的良率還有一定問題，但是隨著LED的技術的逐漸完善和資本的不斷注入，已經(jīng)在穩(wěn)步提升。
第三規(guī)模化轉移上；未來Micro LED顯示困難處在于嵌入LED制程不易采大批量的作業(yè)方式，尤其是RGB的3色LED較單色難度更高。但是未來隨著LED黏著、印刷等技術方法的提升，則有利于Micro LED顯示導入量產(chǎn)化階段。
