以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有眾多優(yōu)勢及廣闊的應(yīng)用前景，在業(yè)界引發(fā)熱切關(guān)注，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地，是全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，各國政府都紛紛加緊在該領(lǐng)域的部署。第三代半導(dǎo)體材料及技術(shù)應(yīng)用也是我國國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)的核心內(nèi)容。
為加快推進(jìn)該產(chǎn)業(yè)相關(guān)技術(shù)的研發(fā)及成果落地，近日，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同策劃，依托中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)這一知名國際創(chuàng)新平臺，打造“2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國際論壇”（以下簡稱“大會(huì)”）。大會(huì)將于2016年11月在北京國際會(huì)議中心舉辦。
作為一個(gè)在國際上有一定知名度的會(huì)議品牌，中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)當(dāng)前由北京市人民政府和科技部共同主辦，已連續(xù)舉辦五屆。大會(huì)在促進(jìn)北京乃至全國的國際技術(shù)轉(zhuǎn)移與國際科技合作方面發(fā)揮著顯著的作用。今年的大會(huì)上，第三代半導(dǎo)體將成為一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域板塊，從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，將吸引國內(nèi)外該領(lǐng)域高端資源匯聚北京。
同時(shí)，大會(huì)還將與第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2016）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，優(yōu)勢互動(dòng)，通過高峰論壇、專題研討、合作論壇等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個(gè)專場重點(diǎn)討論。屆時(shí)，2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者、藍(lán)光LED發(fā)明人中村修二將擔(dān)任大會(huì)外方主席，并作重要報(bào)告。
值得一提的是，作為一次高層次學(xué)術(shù)會(huì)議，此次SSLCHINA論壇與往屆一樣，征集到的論文有機(jī)會(huì)收錄入IEEE的國際學(xué)術(shù)會(huì)議論文集，錄入Xplore電子圖書館。目前，論壇已正式對外發(fā)布征文通知，面向全球征集高質(zhì)量優(yōu)秀稿件。
征文網(wǎng)址如下：
http://www.ifws.org.cn/cn/paper/
http://www.sslchina.org/cn/lunwen/tongzhi/
