由于終端市場(chǎng)需求趨緩，在供給提升速度大于需求增長(zhǎng)速度下，TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估2016年全球晶圓代工產(chǎn)值年增長(zhǎng)僅2.1%，半導(dǎo)體大廠的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。
2016年，三大半導(dǎo)體制造大廠資本開支金額預(yù)期較去年增長(zhǎng)5.4%，其中，英特爾調(diào)升30%，達(dá)95億美元；臺(tái)積電調(diào)升17%，達(dá)95億美元；三星則逆勢(shì)調(diào)降15%，來到115億美元。拓墣表示，今年半導(dǎo)體大廠的資本開支預(yù)計(jì)至2017年才有機(jī)會(huì)對(duì)營(yíng)收產(chǎn)生貢獻(xiàn)。
臺(tái)積電
專注制程開發(fā)、深耕InFo技術(shù)
中國南京廠建置為2016年三大重點(diǎn)
拓墣表示，半導(dǎo)體三巨頭中臺(tái)積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，可專注于制程技術(shù)的開發(fā)。
2016年臺(tái)積電資本開支約70%用于先進(jìn)制程的開發(fā)，其中大部分用在10納米制程技術(shù)，可見臺(tái)積電對(duì)10納米制程研發(fā)的重視。資本開支的10%則持續(xù)投入InFO技術(shù)的開發(fā)，InFO技術(shù)有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩(wěn)定度高的優(yōu)勢(shì)，已有少數(shù)大客戶開始投單，預(yù)期未來將有更多客戶陸續(xù)投入。
為了就近服務(wù)廣大的中國市場(chǎng)，臺(tái)積電規(guī)劃30億美元用于中國南京12寸廠的建置，預(yù)期在2018年投產(chǎn)。今年南京廠計(jì)劃先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。
三星電子
智能手機(jī)業(yè)務(wù)前景不明，
2016年半導(dǎo)體事業(yè)將是重心
智能手機(jī)是三星最重要的業(yè)務(wù)，在終端市場(chǎng)需求趨緩、手機(jī)差異化縮小的情況下，三星受到蘋果與中國本土品牌的激烈競(jìng)爭(zhēng)。根據(jù)三星財(cái)報(bào)顯示，2015年?duì)I收同比衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智能手機(jī)，去年三星的半導(dǎo)體營(yíng)收同比增長(zhǎng)20%、內(nèi)存年增長(zhǎng)17%，大規(guī)模集成電路（LSI）業(yè)務(wù)則同比增長(zhǎng)約27.7%，表現(xiàn)十分亮眼。
拓墣指出，2016年三星的智能手機(jī)業(yè)務(wù)拓展仍不樂觀，除加速開發(fā)創(chuàng)新業(yè)務(wù)，將更加重視晶圓代工業(yè)務(wù)，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本開支中，大規(guī)模集成電路業(yè)務(wù)會(huì)維持與2015年35億美元的相同水平。
英特爾
維持制程領(lǐng)先地位
擴(kuò)展內(nèi)存相關(guān)業(yè)務(wù)
英特爾雖然在14/16納米制程技術(shù)開發(fā)上超車，但臺(tái)積電與三星若在10納米的技術(shù)上趕超，將使英特爾在CPU產(chǎn)品上面臨強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，嚴(yán)重挑戰(zhàn)英特爾自1995年來的領(lǐng)先地位。2016年英特爾將持續(xù)擴(kuò)大資本開支以維持制程領(lǐng)先，相關(guān)資本開支約達(dá)80億美元。
在數(shù)據(jù)中心的競(jìng)爭(zhēng)中，2015年英特爾與美光聯(lián)合發(fā)表包含3D-NAND與Xpoint等用于內(nèi)存的技術(shù)，此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成內(nèi)存制造廠。2016年英特爾的資本開支中約有15億美元將投資在內(nèi)存相關(guān)業(yè)務(wù)。
