會議現(xiàn)場
 

　　2015年11月4日上午，在第十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇同期舉行由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主辦，木林森股份有限公司、華燦光電股份有限公司、歐司朗(中國)照明有限公司、上?？其J光電發(fā)展有限公司、普瑞光電股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、北京康美特科技有限公司、廣東德豪潤達電氣股份有限公司的鼎力協(xié)辦的“芯片、器件、封裝與模組技術(shù)分會II”在深圳會展中心隆重舉行。

挪威科技大學(xué)教授、挪威科學(xué)院院士Helge Weman先生
 

　　來自挪威科技大學(xué)教授、挪威科學(xué)院院士Helge Weman先生首先分享了《高效率深紫外LED的GaN/AlGaN奈米結(jié)構(gòu)在石墨烯選擇性區(qū)域的生長》技術(shù)報告。Helge Weman先生表示，對于深紫外LED來說，AlGaN奈米結(jié)構(gòu)在石墨烯選擇性區(qū)域的生長能夠帶給現(xiàn)有的AlGaN薄膜技術(shù)以真正的優(yōu)勢。石墨烯的優(yōu)勢在于既能在深紫外中用作透明電極（與ITO對比），又能在AlGaN生長中用作近似晶格匹配外延襯底。通過在掩膜圖案石墨烯選擇性區(qū)域上生長AlGaN奈米結(jié)構(gòu)，將能夠獲得無錯位的AlGaN奈米結(jié)構(gòu)。

華燦光電股份有限公司副總裁 王江波
 

　　對于芯片技術(shù)的革新，LED芯片大廠的嗅覺往往最為靈敏。來自華燦光電股份有限公司副總裁王江波則分享了《PVD AlN緩沖器在GaN基LED晶片的應(yīng)用》技術(shù)報告。他表示，物理氣相沉淀（PVD）AlN緩沖器被用于GaN基LED在4英寸圖形化襯底（PSS）上的生產(chǎn)。采用X射線衍射、AFM和橢圓計對4英寸藍寶石平面上的PVD AlN薄膜性質(zhì)進行分析。與MOCVD GaN緩沖器生長的傳統(tǒng)LED相比，MOCVD在4英寸PSS上采用PVD AlN緩沖器生長的GaN基LED表現(xiàn)出具備光滑的表面形態(tài)、更高的反向電壓、更好的ESD產(chǎn)出及更大吞吐量等優(yōu)勢。

杭州遠方光電信息股份有限公司光學(xué)科學(xué)研究所副所長 劉騰海
 

　　來自杭州遠方光電信息股份有限公司光學(xué)科學(xué)研究所副所長劉騰海分享了《關(guān)于LED測量和合格評定國際標(biāo)準(zhǔn)的革命和解決方案》技術(shù)報告；易美芯光科技有限公司芯片研發(fā)副總裁朱皓分享了《采用藍寶石激光剝離封裝與制造的垂直結(jié)構(gòu)UVLED器件》。

易美芯光科技有限公司芯片研發(fā)副總裁 朱皓
 

　　其中，易美芯光科技有限公司芯片研發(fā)副總裁朱皓在報告介紹了一種垂直結(jié)構(gòu)UV LED器件的設(shè)計、制造與封裝。激光剝離（LLO）法被用于制造45mil x 45mil的LED，從而能夠從外延上去除藍寶石襯底和吸收性GaN層。通過這種方法能夠最小化外延的紫外光吸收，從而大幅提升器件的功效。為實現(xiàn)更高效率UVA芯片的LLO工藝，器件性能與測試結(jié)果。此外，還探討了UV條件下的封裝技術(shù)和失效機制。

晶元光電股份有限公司研發(fā)中心創(chuàng)新應(yīng)用群協(xié)理 許嘉良
 

　　緊接著，晶元光電股份有限公司研發(fā)中心創(chuàng)新應(yīng)用群協(xié)理許嘉良分享了《LED芯片級封裝設(shè)計》報告，全面分析了CSP（芯片級封裝）技術(shù)在LED應(yīng)用趨勢。晶元光電公司的中、低功率LED芯片和COB（板上芯片）器件的出貨量開始大大增加，公司CSP（芯片級封裝）倒裝芯片LED器件的需求將于2016年逐漸開始增加。

　　與此同時，半導(dǎo)體照明企業(yè)過去主要關(guān)注的是如何開發(fā)和生產(chǎn)好一個個獨立的產(chǎn)品，但是現(xiàn)在要開始把更多的注意力放在集成化的應(yīng)用上了，比如系統(tǒng)的整合性，工程的設(shè)計應(yīng)用、智能控制等。因為一個系統(tǒng)級的解決方案與單個燈具產(chǎn)品的應(yīng)用有著巨大差別，尤其是在生命周期比較長或使用環(huán)境比較惡劣的條件下。亮銳商貿(mào)（上海）有限公司張艷軍博士分享了《LED系統(tǒng)整合的趨勢和挑戰(zhàn)》主題報告，給互聯(lián)時代的LED+帶來了新的思考。

廣東德豪潤達電氣股份有限公司芯片副總裁、博士 莫慶偉
 

　　廣東德豪潤達電氣股份有限公司芯片副總裁、博士莫慶偉分享了《精于芯，簡于形--LED芯片及封裝技術(shù)發(fā)展趨勢淺議》報告；他認(rèn)為，簡化工藝流程，減少人工犯錯。比如CSP產(chǎn)品簡化了封裝流程，帶來成本的降低質(zhì)量的提高，未來圍繞CSP生態(tài)系統(tǒng)將會產(chǎn)生越來越多的方案。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明技術(shù)研發(fā)中心 王欽金
 

　　最后，來自中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明技術(shù)研發(fā)中心王欽金分享了《顛覆性創(chuàng)新的化學(xué)鍍銀GaN P-型反射電極》報告。他首先介紹了一種采用化學(xué)鍍銀（ESP）法在GaN上構(gòu)造p-電極的新方法。他表示，在實驗中采用化學(xué)濕選法來獲得優(yōu)越的反射電極，該方法使金屬鹽降解并在表面形成銀色金屬層。光致發(fā)光結(jié)果表明VLED上的ESP樣品在激光剝離后在光學(xué)性能上有顯著提升，比20mA正向電流下VLED上的EB樣品光輸出高出26.4%。與電子束沉積或濺射技術(shù)相比，該方法有著特別的優(yōu)勢，如程序簡潔、電自由、設(shè)備成本低、涂層時間短及生產(chǎn)規(guī)模大等，由此表明采用化學(xué)鍍銀構(gòu)造p-型反射器這一方法有潛力取代或顛覆GaN基LED。

 

　　至此，SSLCHINA2015芯片、器件、封裝與模組技術(shù)分會II到此結(jié)束，更多詳情期待后續(xù)報道。