中國半導體照明網訊：2015年9月17日，科技部第三代項目管理辦公室組織技術專家和財務專家對廈門市三安光電科技有限公司承擔的863計劃“綠光激光器用高銦組分氮化鎵基外延材料生長技術”課題進行了中期現場檢查，該課題為新材料領域“第三代半導體材料”重點專項于2014年首批啟動課題，專項經費460萬元。
課題實施以來，課題組在Si襯底上半極性面GaN外延、藍寶石襯底上綠光量子阱外延、高空穴濃度GaN p型層、激光器綠光諧振腔制作等方面取得了一系列的進展，主要成果包括：半極性面GaN外延層位錯密度達到106 cm-2量級，藍寶石襯底上GaN外延層XRD半高寬(002)小于240 arcsec、(102)小于280 arcsec，GaN外延單層空穴濃度達到3.4x1017 cm-3，并獲得了平整的激光器腔面。
專家組認為該課題總體進展良好，基本按照節(jié)點任務要求完成了階段性研究目標，以上成果的取得也為最終完成課題目標奠定了基礎。
