中國半導體照明網訊：發展綠光LED及其他光譜LED技術，對緩解“綠光鴻溝”問題，實現高品質全光譜燈具，顯著提升照明產品發光品質具有重要意義。
華南理工大學聯合中科院半導體所、杭州士蘭明芯等單位，產學研合作，共同開展高In組分氮化物材料制備技術研究。
中期檢查現場報告會
課題組在InGaN生長、AlInN三元合金混溶隙研究、半極性InGaN薄膜制備及綠光LED外延生長及數值模擬等方面取得了一系列進展，探索了反應室溫度、壓力、流量等工藝條件對InGaN薄膜的銦組分、面內應力等參數的影響，設計了新型綠光LED結構并數值計算了綠光LED的內量子效率、載流子濃度分布以及自發輻射復合速率分布等參數，在此基礎上，生長出InGaN材料，并制備出綠光LED器件,為完成課題的任務指標奠定良好的基礎。
