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SSLCHINA2014:以應用需求為出發(fā)點的技術進步

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-11-07 來源:中國半導體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):9

--芯片、器件、封裝與模組技術(Ⅱ)分會舉行

以具體應用需求為出發(fā)點正成為芯片及模組光源技術進行突破的立足點,當前,高效率、高可靠、低成本是業(yè)內人士努力的方向,圍繞著這些方向,LED芯片、器件、封裝與模組技術也在不斷進步。

2014年11月7日,第十一屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2014)之“芯片、器件、封裝與模組技術(Ⅰ)” 技術分會在廣州廣交會威斯汀酒店舉行。會上,南昌大學教授劉軍林、歐司朗光電半導體有限公司高級技術經(jīng)理陳文成、 廣州市鴻利光電股份有限公司工程技術中心主任李坤錐、廣東德豪潤達電氣股份有限公司倒裝芯片研發(fā)芯片總監(jiān)陳順利、上海科銳光電發(fā)展有限公司營業(yè)總經(jīng)理兼技術總監(jiān)博士邵嘉平、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所教授蔡勇、中科院半導體研究所博士田婷等嘉賓帶來了精彩報告。中科院半導體所照明研發(fā)中心副主任曾一平和中國科學院半導體照明研究員尹曉燕共同主持了本次會議。

雖然技術進步,LED光效已經(jīng)提高到一定水平,但LED的光效依然會繼續(xù)提高。陳文成表示,如果不考慮任何的損失,LED的理論極限光效會在410lm/W左右,不過,現(xiàn)實卻無法達到該水平,而要真正提升LED的光效,需要從LED器件生產(chǎn)流程的各個環(huán)節(jié)去優(yōu)化設計,如芯片設計,熒光粉技術及封裝設計等。“提高綠光的光效來克服”green gap”和降低LED的Droop效應是目前業(yè)界要提升白光LED光效來逼近極限光效的兩大主要技術挑戰(zhàn)。”陳文成說。

從封裝技術路線來看,當前有正裝技術、倒裝技術以及“免金線封裝”等多種LED技術路線,各種技術路線努力的方向都呈現(xiàn)高密度級的趨勢。目前,模組、中功率產(chǎn)品等的發(fā)展也同樣呈現(xiàn)出高密度級的演變。高密度級LED技術適用于包括戶外照明、室內照明 、商業(yè)照明、景觀照明、農(nóng)業(yè)照明、智能照明、汽車照明 等所有LED應用領域。會上,邵嘉平介紹了高密度級LED技術的特點,他表示,高密度級LED技術創(chuàng)新重點體現(xiàn)在技術平臺的革新,綜合涵蓋了襯底、外延、芯片、封裝、光轉換系統(tǒng)等多方面的重要提升。

LED芯片成本大幅下降,蔡勇認為,從降低LED器件及燈具成本的角度來看,LED照明的最理想方案是“單芯片LED燈具”,即:一個燈具僅用一顆LED芯片。這樣可使LED器件的封裝成本、燈具的安裝成本以及維護成本都降至最低。

硅襯底LED技術是碳化硅LED技術、藍寶石襯底LED技術之外的第三條技術路線,硅襯底LED技術的發(fā)展也一直備受業(yè)界關注。會上,劉軍林介紹了硅襯底LED的研究進展,包括,硅襯底LED的外延生長、裂痕控制的技術、圖形化硅襯底制作芯片的技術等。

交流LED是業(yè)界關注的技術方向之一,有業(yè)內人士認為,交流驅動LED可以擺脫驅動電源壽命的瓶頸,應用成本將顯著降低。不過,交流LED的芯片利用率不是很高,而芯片利用率的減少會引起LED光效的下降。會上,田婷介紹了一種基于交流特點而設計的新型LED,提高芯片的利用率,進而提高光效。田婷表示,研究發(fā)現(xiàn),AC LED的失效主要發(fā)生在整流分支的LED連接處,這是整流分支上大的電流密度以及互連電極側壁上潛在的一些泄露通道所致。

高壓倒裝芯片近來技術發(fā)展迅速,陳順利介紹了一些新的研究進展,并展示新一代的倒裝芯片在商業(yè)領域的應用。此外,會上,針對當李坤錐分享了測試位置對引線鍵合測量值的影響,來自代爾夫特和愛思強的嘉賓分別介紹了在晶圓級封裝技術及MOCVD設備技術方面的研究進展和成果。

 
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