當前有正裝技術、倒裝技術以及“免金線封裝”等多種LED技術路線，各種技術路線努力的方向都呈現高密度級的趨勢，追求在更小的LED芯片面積上耐受更大的電流驅動，并獲得更高的光通量以及薄型化等特性，從而獲得更好的性能(發光效率、發光強度、產品壽命、流明成本等)。
11月7日，第十一屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇(SSLCHINA2014)之“芯片、器件、封裝與模組技術(Ⅱ)”技術分會在廣州廣交會威斯汀酒店舉行，會上，上海科銳光電發展有限公司營業總經理兼技術總監邵嘉平做了關于“高密度級LED技術”的報告。
上?？其J光電發展有限公司營業總經理兼技術總監邵嘉平
高密度級LED技術是一項業界領先的創新，能為LED器件帶來立竿見影的性能提升，將使得實現體積更小、照明性能更高、照明品質更佳、系統成本更低、照明設計更靈活、照明產品更富有創新性的新一代LED照明解決方案成為可能。這將不僅僅為現有LED照明存量市場提供更好的解決方案，更會為今后LED照明新增市場帶來更多想象空間和發展機遇。
邵嘉平表示，高密度級LED技術創新重點體現在技術平臺的革新，綜合涵蓋了襯底、外延、芯片、封裝、光轉換系統等多方面的重要提升：
SiC襯底，有效地解決了襯底材料與GaN的晶格匹配度問題，減少了缺陷和位錯，更高的電光轉換效率從根本上帶來更多的出光和更少的散熱，同時SiC材料本身的物理特性使其能夠在更大功率、更高溫度下正常工作;
增強型外延結構，顯著提高量子效率，進一步提高了出光率;
改進型芯片架構，綜合了前代正裝芯片和倒裝無金線芯片的優勢，使得LED在更高溫度下的效率進一步提升，并帶來更多的出光和更低的熱阻;
陶瓷封裝，比之塑料封裝，能夠在高溫下仍然保持優異的流明維持率，穩定的可靠性和長壽命為終端用戶能夠更加放心地使用LED產品提供保障;
先進的光轉換系統，其透鏡形狀針對更佳出光而優化設計，并且在高熱量條件下始終保持優異的光學穩定性，同時能夠在多芯片LED器件中實現更好的光線強度和均勻度。
