日本Sanix公司最新太陽能逆變器采用科銳C2M SiC MOSFET，實現系統性能、高可靠性及性價比最佳組合
2014年9月29日，中國上海訊 - 科銳(Nasdaq: CREE)宣布C2M系列1200V / 80mΩ SiC MOSFET被日本Sanix公司采用，應用在其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計之中，以用于日本快速增長的太陽能市場商業光伏系統建設。
科銳1200V SiC MOSFET
Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示：“通過與科銳的合作并采用其SiC技術，Sanix公司能夠在競爭激烈的日本太陽能市場爭取更多的市場份額，科銳SiC MOSFET是Sanix公司實現高效率與散熱設計目標的關鍵。同我們原先考慮采用的Si超結MOSFET相比，SiC技術能夠降低我們逆變器電子中超過30%的損耗。除了大幅提升效率之外，科銳最新一代C2M SiC MOSFET的價格也很有競爭力，使得替代低電壓、低耐受度、低效率的Si MOSFET成為可能。
科銳1200V C2M 0080120D MOSFET應用在太陽能逆變器的主要電能轉換階段，具有更快的開關特性，開關損耗僅為相應的900V Si超結MOSFET的三分之一。科銳SiC MOSFET通過大幅降低開關損耗，從而實現更低的總體系統能源損耗、更高的開關頻率、更低的工作溫度。所有這些優點幫助提升轉換效率，同時降低了系統尺寸、重量、復雜度和熱管理要求。從系統層面來看，逆變器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用壽命得到了延長。
科銳功率與射頻總經理兼副總裁Cengiz Balkas表示：“我們很高興Sanix公司選擇科銳C2M 1200V SiC MOSFET技術應用在其新型9.9 kW太陽能逆變器中。科銳SiC功率器件為光伏逆變器帶來效率、可靠性及成本等多方面的顯著優勢，為Sanix公司提供關鍵競爭優勢，從而幫助其在日本太陽能市場中繼續擴大市場份額。”
科銳C2M系列SiC MOSFET業經證明可實現三倍于傳統Si技術的功率密度，目前可提供1200V和1700V、25 mΩ到1 ?不同產品型號可選。科銳C2M MOSFET可用于各種工業級功率型應用場合，自2013年3月推出以來市場需求就不斷增長。科銳SiC MOSFET已經實現量產，并為Sanix公司和其他光伏逆變器生產商，以及工業電源、輔助電源轉換器、電池充電器和馬達驅動生產制造商等供貨。
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