一、藍寶石產(chǎn)業(yè)概況
藍寶石晶體的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,具有熔點高(2050℃)、硬度大(莫氏硬度9級,僅次于金剛石)的特點,且具有很好的透光性,熱傳導(dǎo)性和電氣絕緣性,以及力學(xué)機械性能好,耐磨和抗風(fēng)蝕等優(yōu)良的光學(xué)和物理化學(xué)特性。
因此,藍寶石是微電子及光電子產(chǎn)業(yè)極為重要的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、光電子、信息顯示、光通訊、激光、精密機械、國防軍事等眾多領(lǐng)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,對藍寶石晶體材料的尺寸、質(zhì)量不斷提出新的要求。現(xiàn)在,隨著半導(dǎo)體照明及其他新興應(yīng)用的迅速發(fā)展,低成本、高質(zhì)量、大尺寸的藍寶石晶體的市場需求正在急劇擴大。
自1885年由Fremy、Feil和Wyse利用氫氧火焰熔化天然紅寶石粉末與重鉻酸鉀而制成了當時轟動一時的“日內(nèi)瓦紅寶石”,迄今人工生長藍寶石的研究已有100多年的歷史。一百多年來,為了適應(yīng)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)生產(chǎn)對于藍寶石晶體質(zhì)量、尺寸、形狀的特殊要求,為了提高藍寶石晶體的成品率、利用率以及降低成本,對藍寶石的生長方法及其相關(guān)理論研究從未間斷,其設(shè)備和技術(shù)也在上世紀末取得了迅速的發(fā)展,到目前為止,藍寶石產(chǎn)業(yè)已具有較高的技術(shù)水平和較大的生產(chǎn)能力,晶棒尺寸從2英寸擴大到目前的12英寸,為之配套設(shè)備及材料也隨之得到了飛速的發(fā)展。
二、藍寶石晶體生長技術(shù)比較
目前各種晶體生長技術(shù)在市場上都有應(yīng)用,且晶體純度都可達到99.99%,但是由于生長機理的不同,又都存在一定的缺點和局限性,較難同時滿足未來藍寶石晶體的大尺寸、高質(zhì)量、低成本發(fā)展需求。例如,熔焰法、提拉法等方法生長的晶體質(zhì)量和尺寸都受到限制;熱交換法、溫度梯度法和泡生法等方法需要大量氦氣作冷卻劑;溫度梯度法、泡生法生長的藍寶石晶體坯料需要進行高溫退火處理,坯料的后續(xù)處理工藝比較復(fù)雜、成本高。
但是從市場份額來看,泡生法目前處于優(yōu)勢地位,世界最大的藍寶石生產(chǎn)企業(yè)美國Rubicon和俄羅斯Monocrystal均采用此技術(shù)方法生產(chǎn)藍寶石晶體,此外包括京晶光電在內(nèi)的數(shù)家中國藍寶石生產(chǎn)企業(yè)也采用此法。采用此法生產(chǎn)的藍寶石晶體超過全球產(chǎn)量的50%,其中用于半導(dǎo)體照明的藍寶石襯底超過70%以此法生產(chǎn)。溫度梯度法是韓國廠商所使用的主要技術(shù),該技術(shù)可生產(chǎn)低電位密度的高品質(zhì)晶棒,使晶體大小(直徑與高度)與長晶形狀相對受限較小,目前也占有一定的市場份額。導(dǎo)模法主要由日本企業(yè)掌握和使用,產(chǎn)品也基本供應(yīng)日本市場,此外烏克蘭也生產(chǎn)導(dǎo)模法長晶爐。
表二、藍寶石晶體主要生長技術(shù)優(yōu)缺點比較
生長技術(shù) |
優(yōu)點 |
缺點 |
泡生法(KY) |
高品質(zhì)(光學(xué)等級),低缺陷密度,大尺寸,高產(chǎn)能,成本相對較低 |
操作復(fù)雜,一致性不高,成品率較低。不易生長C軸晶體。 |
提拉法(CZ) |
生長情形易于觀察,尺寸容易控制,晶體外形相對規(guī)整 |
缺陷密度大;須使用銥金坩堝,成本較高;尺寸易受限 |
導(dǎo)模法(EFG) |
品質(zhì)佳 |
設(shè)備、工藝要求復(fù)雜 |
溫度梯度法 (TGT)
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設(shè)備簡單、操作方便,無機械擾動、界面穩(wěn)定、成品率高;可生長c軸晶體 |
晶體無轉(zhuǎn)動,溫場不易均勻;晶體需后續(xù)退火處理,周期長,成本高;坩堝強制作用顯著 |
坩堝下降法 (VGF) |
設(shè)備簡單,成品率高。 |
晶體缺陷密度較大 |
垂直水平溫度梯度法(VHGF) |
晶體大小(直徑和高度)與形狀相對較不受限制 |
專利掌握于韓國STC手中 |
熱交換法(HEM) |
高品質(zhì),大尺寸 |
設(shè)備要求高,工藝復(fù)雜,成本高,主要難題是晶體容易開裂。 |
冷肩微量提拉(SAPMAC) |
晶體完整性好;可實現(xiàn)原位退火,周期短、成本低; |
易受到溫度波動的影響;不易生長c軸晶體 |
火焰法 |
可以生長超高溫度的晶體,如2150熔點的MgAl2O4晶體、2850℃的MgO晶體 |
溫場梯度大,經(jīng)常會出現(xiàn)晶界鑲嵌結(jié)構(gòu)缺陷、氣泡、包裹體,晶體尺寸很難超過2英寸 |