德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)宣布，通過在LED的控制電路中采用氮化鎵(GaN)，成功地將現有的亮度為1000lm的LED燈泡改造成了2090lm的高亮度LED燈泡，LED燈泡的發光效率也提高了數個百分點。

       Fraunhofer IAF改造部分控制電路，將LED燈泡的光通量從1000lm提高至2090lm

LED控制電路的作用是使交流變直流轉換器的輸出電流保持在恒定水平。據Fraunhofer IAF介紹，LED芯片非常容易受到電流波動的影響，控制電路的可靠性對于芯片壽命有著很大影響。一般情況下，該控制電路的晶體管都采用硅半導體。

此次，Fraunhofer IAF采用GaN晶體管而非硅晶體管制作了控制電路。而且已經確認，即使電流、溫度及電壓比使用硅晶體管時都要大，GaN晶體管也能夠以非常高的可靠性工作。控制電路的工作效率也比較高，為86%，比采用硅晶體管時高出1～4個百分點。

此外，與采用硅晶體管時相比，采用GaN晶體管的控制電路能夠以10倍以上的高頻工作。這意味著可以減小感應器和電容器等器件的尺寸。如果能夠減小器件的尺寸，將有助于LED燈泡的進一步小型化及制造成本的降低。

Fraunhofer IAF表示，對于市售的亮度約為1000lmLED燈泡，將其控制電路換成上述采用GaN晶體管制作的控制電路后，光通量可提高至2090lm。(作者：野澤 哲生，日經技術在線!供稿)