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厚殼量子點技術使半導體亮度提升100倍

放大字體  縮小字體 發布日期:2014-02-23 來源:LEDs瀏覽次數:34

Quantum Materials公司和洛斯阿拉莫斯國家實驗室(LANL)近日發布了量子材料可選厚殼(Thick-Shell) 'Giant量子點技術,在提升半導體照明亮度方面,該技術比傳統的納米晶體量子點高出10—100倍。高亮度可提升材料使用效能,并提高顯示屏和LED照明的性能。

量子點頃刻間發光會出現"閃爍(Blinking)"問題,這通常是某些量子點應用的挑戰所在。LANL發現通過殼更好地分離吸收,厚殼量子點可大幅減少熒光間歇性,而且通過核發光顯著抑制了閃爍問題(如圖所示)。

厚殼技術能夠延長量子點在較高溫度和高光密度時的使用壽命,因此它在QD液晶背光顯示屏、半導體照明薄膜和投影照明的產品壽命。而且這種無閃爍量子點光輸出更高、發熱量更少,因此可催生新的產品開發并優化設計。

LANL也實現了厚殼"Giant" QD近紅外發光進展,這會影響醫療成像應用、光電子、激光、電信和太陽能光伏。比如,目標癌細胞更容易辨別和追蹤,變動的吸收和發光范圍為電子和太陽能設計提供特制性能。

量子材料計劃在量子點產線中集成LANL的厚殼技術,該司自動化工藝能夠生產工業級產量,同時保持極好一致性,從而可靠、經濟地生產厚殼量子點。

 
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