LED材料、裝備技術(shù)取得新進(jìn)展

       ——CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)會議召開

“硅襯底外延和熒光粉新材料的實驗都取得了可以展示的成果，這對企業(yè)提高設(shè)備的優(yōu)良出品率以及國內(nèi)企業(yè)在新材料上突破國外專利封鎖均有積極意義。”

“Michael Heuken教授關(guān)于不同情況下對翹區(qū)的影響，對企業(yè)啟發(fā)很大，原來只是買來MOCVD，但并沒有考慮到監(jiān)控這方面的東西。實際上，隨著襯底片從2襯到4襯再到6襯，這個問題越來越嚴(yán)重，Michael Heuken教授的報告很及時，正好解決了企業(yè)面臨的問題。”

10日下午，CHINASSL2013之分會——材料與裝備技術(shù)會議(1)在北京昆泰酒店8-9號會議室召開。七八十人的會議室座無虛席。來自產(chǎn)業(yè)各界的代表，前來聽取包括中科院半導(dǎo)體研究所照明中心、南京工業(yè)大學(xué)電光源材料科學(xué)研究所、飛利浦、愛思強(qiáng)、中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司、塞倫光電以及北京北方微電子和山東浪潮華光光電子等國際國內(nèi)知名材料和設(shè)備廠商代表關(guān)于材料和裝備技術(shù)的實驗室新成果。南京大學(xué)電子學(xué)院博士生導(dǎo)師、南京大學(xué)揚(yáng)州光電研究院院長陳鵬教授主持了本次會議。

中科院半導(dǎo)體研究所照明中心副研究員劉志強(qiáng)首先介紹了《低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢》，由于氮化物發(fā)光二極管主要基于平面InGaN/GaN多量子阱支撐，并且表現(xiàn)出了可喜的性能，但同時這種傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)也存在一些問題，使其進(jìn)一步發(fā)展受到制約，而通過利用商用MOCVD系統(tǒng)制備特別設(shè)計的多層InGaN量子點(diǎn)，同時利用選取外延方法制備獨(dú)特的金字塔陣列InGaN/GaN核殼結(jié)構(gòu)LED，結(jié)果顯示，低維結(jié)構(gòu)是進(jìn)一步提高氮化物發(fā)光二極管的有力手段，并且，低維結(jié)構(gòu)在實現(xiàn)單芯片白光發(fā)射方面有其潛在優(yōu)勢。

飛利浦研究中心資深研究員徐庶帶來了《開發(fā)空氣中穩(wěn)定的量子點(diǎn)熒光粉用于LED照明》的相關(guān)技術(shù)，由于本人因公出差不能到會，又不愿錯過此次交流的機(jī)會，專門委派代表進(jìn)行了相關(guān)介紹。

愛思強(qiáng)研發(fā)副總裁Michael Heuken教授就《在耦合蓮蓬反應(yīng)室中現(xiàn)場測量在干法刻蝕圖形化的藍(lán)寶石襯底上的LED MOCVD生長》做了介紹和解讀。該項技術(shù)得到了與會企業(yè)的普遍關(guān)注和好評。主持人陳鵬教授和華延芯光(北京)科技有限公司林岳名博士給出了文中開始的高度評價。

隨后，塞倫光電有限公司的Bedwyr Humphreys介紹了《開發(fā)高質(zhì)量、低缺陷密度半極化和非極化氮化鎵模板》的做法，實驗表明，利用納米柱技術(shù)，成功實現(xiàn)了非極性和半極性GaN FWHM的有效降低，同時隨著方法的成熟，GaN的性能將得到進(jìn)一步的改善。在高質(zhì)量a面GaN襯底上生長的InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)現(xiàn)實了優(yōu)秀的光學(xué)性質(zhì)。

北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任在公司副總裁丁培軍介紹了《Sputter技術(shù)在LED芯片亮度提升中的應(yīng)用》，該技術(shù)現(xiàn)場引發(fā)劉志強(qiáng)副研究員的強(qiáng)烈興趣，雙方表示會后可進(jìn)一步進(jìn)行交流探討。

茶歇后，Michael Heuken教授就《MOCVD行星反應(yīng)室中的硅基LED的Tuning》再次上臺與聽眾分享，南京工業(yè)大學(xué)點(diǎn)光源材料科學(xué)研究所所長王海波教授則介紹了《藍(lán)光激發(fā)的連續(xù)光譜熒光粉和遠(yuǎn)程技術(shù)的研究》，也是這項研究，陳鵬教授評價該技術(shù)若能進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率至市場通用平均水平，國內(nèi)企業(yè)在熒光粉新材料應(yīng)用方面取得突破可期，而從材料上突破國際企業(yè)的專利封鎖，是一個非常好的技術(shù)通道。

最后，山東浪潮華光光電子股份有限公司工程師沈燕介紹了《通過改變氧流量蒸發(fā)不同形貌ITO薄膜》技術(shù)的實驗應(yīng)用。

針對本次會議展示的技術(shù)成果，陳鵬教授認(rèn)為，會議展示的技術(shù)其實都是原有材料和設(shè)備技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化。LED技術(shù)發(fā)展多年以來，普通技術(shù)企業(yè)都掌握，但如何做的更好，各有看法。雖有看法，但又缺乏實驗數(shù)據(jù)。這次會議當(dāng)中就給出了一些比較有意義的數(shù)據(jù)和一些明確的改進(jìn)方向，如在PS上面控制翹區(qū)，芯片工藝?yán)锩嬗肐TO時，注重它的折射率等，這些都是非常具體的優(yōu)化技術(shù)，而這些畫龍點(diǎn)睛的技術(shù)，有效提升了LED的產(chǎn)業(yè)技術(shù)，“這可以說是這次技術(shù)會議最實質(zhì)的結(jié)果和最大價值。”