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BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個(gè)額外的開(kāi)爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開(kāi)爾文發(fā)射極端子，繞過(guò)柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)能量。特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見(jiàn)應(yīng)用包括：車載充電機(jī)（OBC）、ESS儲(chǔ)能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)。
 
BASiC基本半導(dǎo)體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對(duì)管IGBT開(kāi)通損耗，且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低，IGBT開(kāi)通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器，光伏儲(chǔ)能逆變器，充電樁電源模塊，移動(dòng)儲(chǔ)能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。
 
BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET具備開(kāi)關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、... [詳細(xì)介紹]