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2022化合物半導體器件與封裝技術論壇(因疫情緊急延期，后續待定)

發布日期：2022-09-02 瀏覽次數：482 狀態：

展會日期	2022-12-01 至 2022-12-02
展出城市	深圳
展出地址	深圳國際會展中心（寶安新館）
展館名稱	深圳國際會展中心（寶安新館）
主辦單位	半導體產業網、第三代半導體產業勵展博覽集團

展會說明

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前景廣闊。其中，以GaN、SiC為代表的半導體材料由于具備禁帶寬度大、臨界電場高、電子飽和速率高等優勢，被廣泛應用到汽車電力電子、5G射頻、光通信和探測器等領域。

　　隨著化合物半導體器件的日益普及和廣泛應用，化合物半導體封裝和模塊將向著低損耗、低感量、高功率密度、高散熱性能、高集成度、多功能等方向發展，未來將衍生出與硅基封裝技術和產品形式不同的發展路線，先進封裝材料、可靠性技術都在不斷的發展提升。

　　封裝是功率半導體產業鏈中不可或缺的一環，主要起著安放、固定、密封、保護芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。采用合理的封裝結構、合適的封裝材料，以及先進的封裝工藝技術，可以獲得良好的散熱性能，確保高電壓、大電流的功率器件的正常使用，并能在工作環境下穩定可靠地工作。此外，封裝對于功率器件乃至整個系統的小型化、高度集成化及多功能化起著關鍵的作用。為了提高功率半導體器件的性能，必然會對封裝提出更高的要求。

　　12月1-2日(因疫情緊急延期，后續待定)，半導體產業網、第三代半導體產業聯合勵展博覽集團，在NEPCON ASIA 2022 期間舉辦為期兩天的“2022化合物半導體器件與封裝技術論壇”。我們將依托強大背景及產業資源，致力于先進半導體技術推廣、創新應用及產業鏈間的合作，為科研機構、高校院所、芯片面板及終端制造，上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。大會將聚焦化合物半導體器件與封裝技術最新進展，針對SiC功率器件先進封裝材料及可靠性、硅基氮化鎵功率器件、VCSEL器件及封裝、車用GaAs激光雷達，化合物半導體可靠性測試及方法等等，邀請產學研用資多領域優勢力量，探討最新進展，促進化合物導體器件與封裝技術發展。

　　NEPCON ASIA 2022將以“跨界+芯+智造”為創新理念，展會將匯聚1,200個企業及品牌參展，展示電子元器件、PCBA制程、智能制造、 EMS服務、半導體封測等相關的國內外設備新品及先進技術解決方案。與同期多展聯動，超140,000㎡展示規模，帶來消費電子、家電、工控、通信通訊、汽車、觸控顯示、新能源、醫療器械、光電等領域跨界商機，綻放亞洲電子工業新活力。

　　此外，同期將舉辦超30場跨國、跨界活動，覆蓋PCBA制程、半導體封裝、工業機器人、智能倉儲與物流、機器視覺、智慧工廠、工業互聯網、激光、3C、家用電器、通信、汽車、5G、物聯網、人工智能、AR/VR、新能源、醫療器械、照明等熱門話題，創新打造多元化國內、外商務配對社交機會，一站式捕捉亞洲跨界商貿網絡。

　　會議主題：共享“芯”機遇直面 “芯”挑戰

　　會議時間：2022年12月1-2日(因疫情緊急延期，后續待定)

　　會議地點：深圳·深圳國際會展中心

　　主辦單位：

　　中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會

　　勵展博覽集團

　　半導體產業網

　　半導體照明網

　　承辦單位：

　　北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

　　與會單位：

　　蘇州鍇威特、英諾賽科、基本半導體、泰科天潤、PI、長飛光纖、日月光、安靠、長電科技、瞻芯電子，華天、納維科技、蘇州晶湛、百識電子、三安集成、通富微、大族激光、紫光、力成科技、矽品、中微、上海微電子、陽光電源、北方華創、南京大學、復旦大學、中科院蘇州納米所、江蘇三代半研究院、東南大學、國星光電、京元電子、聯合科技、甬矽電子、無錫華潤安盛、頎邦、晶方半導體、紫光、環旭、蘇州固锝、ARM、Cadence、士蘭微、Mentor、Synopsys、Silicon Image、Ceva、eMemory、comsol、ansys、abaqus、Ansys 、富士康、浪潮華光、偉創力、捷普電子、和碩、廣達上海、貝萊勝電子、恒諾微電子、華泰電子、環旭、TDG、中電科、杭州長川科技、ASM、海思、K&S、Disco、蘇州艾科瑞思、泰瑞達、科利登Xcerra、美國國家儀器NI、Chroma、北京華峰測控、精測電子、TRI、Hilevel、KingTiger、TEV、TELCO、是德科技、羅德施瓦茨、錸微半導體、利之達、老鷹半導體，米格實驗室，國星半導體，南方電網，國家電網，深圳大學，北大深圳研究院，南方科技大學、西安電子科技大學、華為和比亞迪等

　　日程安排（擬）：

時間	議題
(因疫情緊急延期，后續待定)
09:00-09:55	簽到
09:55-10:00	嘉賓致辭
10:00-10:20	化合物半導體功率器件及封裝技術現在及應用分析
10:20-10:40	內絕緣TO-220封裝碳化硅肖特基二級管技術
10:40-11:00	氮化鎵微波功率器件的研究與應用
11:00-11:20	單雙面銀燒結技術在SIC功率模塊封裝中的應用
11:20-11:40	GaN高電子遷移率晶體管技術
11:40-12:00	SiC MOSFET結溫檢測方法研究
12:00-13:30	展區參觀、交流，午餐
13:30-13:50	VCSEL器件技術進展及其在數據中心與汽車激光雷達中的應用
13:50-14:10	高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調整
14:10-14:30	萬伏級4H-SiC基IGBT器件技術
14:30-14:50	第三代半導體裝備：從器件制造到性能表征
14:50-15:10	高可靠性功率系統集成的發展和挑戰
15:10-15:30	第三代半導體器件封裝用陶瓷基板技術研發與產業化
15:30-15:50	車規級功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計
15:50-16:10	用于功率器件的關鍵設備技術/等離子去膠設備技術
(因疫情緊急延期，后續待定)
10:00-10:20	先進GaAs/InP半導體激光器及封裝（TBD）
10:20-10:40	半導體設備技術國產化
10:40-11:00	用于新能源汽車的先進功率器件的挑戰與優化思路博世/芯聚能/比亞迪/派恩杰
11:00-11:20	面向寬禁帶半導體器件的高空間/時間分辨率晶圓級熱表征技術進展
11:20-11:40	8寸硅基氮化鎵功率器件產業化進展
11:40-12:00	第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現