
時(shí)間 |
議題 |
12月1日 |
|
09:00-09:55 |
簽到 |
09:55-10:00 |
嘉賓致辭 |
10:00-10:20 |
化合物半導(dǎo)體功率器件及封裝技術(shù)現(xiàn)在及應(yīng)用分析 |
10:20-10:40 |
內(nèi)絕緣TO-220封裝碳化硅肖特基二級(jí)管技術(shù) |
10:40-11:00 |
氮化鎵微波功率器件的研究與應(yīng)用 |
11:00-11:20 |
單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在SIC功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
11:20-11:40 |
GaN高電子遷移率晶體管技術(shù) |
11:40-12:00 |
SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究 |
12:00-13:30 |
展區(qū)參觀、交流,午餐 |
13:30-13:50 |
VCSEL器件技術(shù)進(jìn)展及其在數(shù)據(jù)中心與汽車(chē)激光雷達(dá)中的應(yīng)用 |
13:50-14:10 |
高壓功率器件封裝絕緣問(wèn)題及面臨的調(diào)整 |
14:10-14:30 |
萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基IGBT器件技術(shù) |
14:30-14:50 |
第三代半導(dǎo)體裝備:從器件制造到性能表征 |
14:50-15:10 |
高可靠性功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn) |
15:10-15:30 |
第三代半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化 |
15:30-15:50 |
車(chē)規(guī)級(jí)功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì) |
15:50-16:10 |
用于功率器件的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
12月2日 |
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10:00-10:20 |
先進(jìn)GaAs/InP半導(dǎo)體激光器及封裝(TBD) |
10:20-10:40 |
半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)國(guó)產(chǎn)化 |
10:40-11:00 |
用于新能源汽車(chē)的先進(jìn)功率器件的挑戰(zhàn)與優(yōu)化思路 博世/芯聚能/比亞迪/派恩杰 |
11:00-11:20 |
面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體器件的高空間/時(shí)間分辨率晶圓級(jí)熱表征技術(shù)進(jìn)展 |
11:20-11:40 |
8寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 |
11:40-12:00 |
第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測(cè)試方法和實(shí)現(xiàn) |
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