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220v轉24v 300mA非
隔離
AC-DC電源芯片降壓電路
AH8699B是一款高效的220V轉24V 300mA非
隔離
AC-DC電源降壓電路芯片。該芯片采用了先進的降壓轉換技術,能夠將輸入的220V交流電轉
2024-07-19 16:56
[廣東]
220V轉5V250mA交流轉直流非
隔離
芯片-AH8698B
AH8698B是一款非
隔離
型交流轉直流芯片,主要用于將高電壓的交流輸入(220V)轉換為低電壓的直流輸出(5V,最大輸出電流400mA)。
2024-07-19 16:56
[廣東]
AC220V轉DC5V 100MA非
隔離
芯片-PM1132
PM1132是一款非
隔離
型、高集成度且低成本的PWM功率開關,適用于降壓型電路。PM1132采用高壓單晶圓工藝,在同一晶片圓上集成有500
2024-07-19 16:56
[廣東]
(SiC)MOSFET專用雙通道
隔離
驅動芯片BTD25350
傾佳電子專業分銷BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本單管IGBT,BASiC基本IGBT模塊,BASiC基本
2023-12-22 22:28
[廣東]
HA5836AE高精度的非
隔離
降壓型LED控制芯片
HA5836AE高精度的非
隔離
降壓型LED控制芯片1、概述HA5836AE是一款高精度的非
隔離
降壓型LED控制器,防閃爍,適用于85V~265V全電壓
2016-10-22 15:01
[廣東]
WS3418 有源PFC非
隔離
降壓型LED驅動器
WS3418 有源PFC非
隔離
降壓型LED驅動器1、特點■ 高PF值,低THD■ 動態溫度補償■ 內置500V/650V功率MOSFET■ 無需輔助線圈供電■
2016-09-27 14:55
[廣東]
降壓型LED驅動,非
隔離
低功率因素WS9420
非
隔離
低功率因素WS94201、特點● No-CAPTM專利的控制拓撲● 啟動時間低至0.1ms● LED 電流精度保持在5%以內● 內部集成500V功率
2016-09-27 14:28
[廣東]
穩先微非
隔離
高功率因素WS3418
穩先微非
隔離
高功率因素WS3418一、特點● 內部對EMI輻射干擾進行了優化設計● 內置650V功率MOSFET● 高PF值,低THD● 谷底開關,
2016-09-14 11:36
[廣東]
非
隔離
低功率因素WS7520
非
隔離
低功率因素WS7520特點● 最為精簡的外圍線路● 內部集成500V功率管● 啟動時間低至0.1ms● 內置智能溫控功能● 內置過溫保
2016-09-07 16:41
[廣東]
非
隔離
低功率因素WS3441A
非
隔離
低功率因素WS3441A特點● 臨界模式工作,無需電感補償● 內置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流,無需輔助繞組供電● 高
2016-09-07 16:38
[廣東]
WINSEMI非
隔離
低功率因素WS9445P
1、特點● 臨界模式工作,無需電感補償● 內置600V 功率MOSFET● 柵極驅動,無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度● 高達93%
2016-09-07 15:40
[廣東]
WINSEMI非
隔離
低功率因素WS9442P
1、特點● 臨界模式工作,無需電感補償● 內置500V 功率MOSFET● 柵極驅動,無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度● 高達93%
2016-09-07 15:37
[廣東]
WINSEMI非
隔離
低功率因素WS3443
1、特點● 臨界模式工作,無需電感補償● 內置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流,無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度●
2016-09-02 10:38
[廣東]
WINSEMI非
隔離
低功率因素WS3442
一、特點● 臨界模式工作,無需電感補償● 內置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流,無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度
2016-09-02 10:37
[廣東]
WINSEMI非
隔離
低功率因素WS3441
WINSEMI非
隔離
低功率因素WS34411、特點● 臨界模式工作,無需電感補償● 內置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流,無需輔助繞組
2016-09-02 10:34
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