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10uS-10mS DBC-102 浪涌電流 測(cè)試系統(tǒng)
  • 10uS-10mS DBC-102 浪涌電流 測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概述：浪涌電流測(cè)試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
晶閘管模塊全動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 晶閘管模塊全動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
晶閘管全動(dòng)態(tài)測(cè)試儀
  • 晶閘管全動(dòng)態(tài)測(cè)試儀
  • 一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
半導(dǎo)體模塊全動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
 [陜西]
10us方波浪涌測(cè)試設(shè)備
  • 10us方波浪涌測(cè)試設(shè)備
  • 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
晶閘管 門極/阻斷特性測(cè)試儀
  • 晶閘管 門極/阻斷特性測(cè)試儀
  • 系統(tǒng)概述：晶閘管門極/阻斷特性測(cè)試儀是可用于測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、 Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
10萬(wàn)安浪涌電流測(cè)試儀
  • 10萬(wàn)安浪涌電流測(cè)試儀
  • 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
二極管正向浪涌電流測(cè)試儀
  • 二極管正向浪涌電流測(cè)試儀
  • 一、產(chǎn)品介紹浪涌電流測(cè)試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
分立器件 參數(shù)測(cè)試儀
  • 分立器件 參數(shù)測(cè)試儀
  • 系統(tǒng)概述：ENJ1502分立器件測(cè)試儀采用上位計(jì)算機(jī)控制，集點(diǎn)測(cè)試和曲線掃描為一體，可實(shí)現(xiàn)點(diǎn)參數(shù)測(cè)試和圖示儀功能。軟件操作界面
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
功率循環(huán) 測(cè)試系統(tǒng)
  • 功率循環(huán) 測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概述：該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試參數(shù)多、精度高、具有過流、過熱、水壓不足等保護(hù)功能。具有連續(xù)工作的特點(diǎn)，測(cè)試
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概念：IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模塊，是先進(jìn)的混合集成功率器件， 不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
 [陜西]
半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試系統(tǒng)
  • 半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概述設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
高溫阻斷 測(cè)試設(shè)備 DBC-249
  • 高溫阻斷 測(cè)試設(shè)備 DBC-249
  • 系統(tǒng)概述：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
功率器件高反壓反向恢復(fù) 測(cè)試設(shè)備
  • 功率器件高反壓反向恢復(fù) 測(cè)試設(shè)備
  • 系統(tǒng)概述：本測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測(cè)試，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
DBC-112可控硅 靜態(tài)綜合測(cè)試設(shè)備
  • DBC-112可控硅 靜態(tài)綜合測(cè)試設(shè)備
  • 系統(tǒng)概述：針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
ZY-200 雪崩能量 測(cè)試系統(tǒng)
  • ZY-200 雪崩能量 測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
ZY-1500R IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
 [陜西]
DBC-102 浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)
  • DBC-102 浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概述：浪涌電流測(cè)試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)
  • 2025-03-14 09:05     
[陜西]
ZY-1500R IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • ZY-1500R IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • 系統(tǒng)概述：針對(duì)IGBT的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試系統(tǒng)，功率3500V、1500A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工
  • 2025-03-14 09:05     
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