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IPM 參數(shù)測試系統(tǒng)

型號: DBC-249
正向電流: 100nA-50A
電壓: 10mV-2000V
需求數(shù)量: 10
價格要求: 400000
包裝要求: 木箱
所在地: 陜西西安市
有效期至: 長期有效
最后更新: 2025-02-21 09:32
瀏覽次數(shù): 5
報價
公司基本資料信息






 
 
詳細說明

 系統(tǒng)概念:

IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模塊,是先進的混合集成功率器件, 不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過電壓,過電流和過熱等故障檢測電路,并可將檢測信號送到CPU。  該系統(tǒng)在解決了IPM 的控制信號源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個關(guān)鍵技術(shù)的條件下,是一套基于 DSP 及 FPGA的高速實時測試系統(tǒng),選擇中心對準 SPWM 波形作為IPM控制信號源,檢測IPM 的開關(guān)特性參數(shù)以及電壓電流諧波特性,并對器件的故障信息給予判斷處理。 

測試功能:                            配置/短路測試

 

 

 

測試范圍

測試參數(shù)

IPM

BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

ID, VEC,

Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES BVCES IGES VF VGEON

VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp,Temp, VF revision

電壓

電流

標配

選配

標配

選配

1200V

2200V

200A

600A

4500V

1000A

6000V

2000A

短路測試

項目

范圍

誤差

分辨率

VPN

100V-1200V

±3%

10V

測試電流

10A-75A

±3%

1A

短路電流

100A-500A

±3%

1A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

靜態(tài)參數(shù)

上橋參數(shù)

動態(tài)參數(shù)

上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H)

集電極電壓/Vce:100~1200V/±3%/10V

上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)

集電極電流/Ice: 10~75A/±3%/1A

上橋驅(qū)動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

上橋驅(qū)動IC高端靜態(tài)工作電流測試(Iqbs-U V W)

VIN=0~5V/±3%/0.1V

上橋欠壓保護監(jiān)測電平(UVbsd-U V W)

ton-L : 10~500nS/±3%/1nS

上橋欠壓保護復(fù)位電平(UVbsr-U V W)

tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS

上橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓測試(Vth(on)-UH VH WH)

toff-L: 50~500nS/±3%/1nS

上橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓測試(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS

上橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UH VH WH)

Trr-L :10~500nS/±3%/1nS

上橋FRD正向壓降測試(VF-(UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ

 

Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ

下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L)

下橋參數(shù)

集電極電壓/Vce:100~1200V/±3%/10V

下橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試(IDL)

集電極電流/Ice:10~75A/±3%/1A

故障輸出電壓測試(Vfoh Vfol)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

過流保護閾值電壓測試(Vcin(ref))

VIN=0~5V/±3%/0.1V

下橋欠壓保護監(jiān)測電平(UVdd)VD=VBS=15V

on-L : 10~500nS/±3%/1nS

下橋欠壓保護復(fù)位電平(UVdr)

tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS

下橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓(Vth(on)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS/±3%/1nS

下橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓(Vth(off)-UL VL WL)

tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS

下橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS/±3%/1nS

下橋FRD正向壓降測試(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ

 

Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ

 

 

 


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